公开(公告)号：CN1633709A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02802972.0

申请日：2002-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高岛浩一 ,  山形伸一 ,  安部诱岳 ,  笹目彰

IPC: H01L23/36

CPC classification number: B22F3/26 ,  B22F7/08 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/12042 ,  Y10T428/12479 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1121 ,  B22F2207/11 ,  B22F2207/01 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。

公开(公告)号：CN115461480B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202180026819.3

申请日：2021-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  联合材料公司

Inventor： 真岛正利 ,  丰岛刚平 ,  高岛浩一

IPC: C22C26/00 ,  C25D7/00 ,  H01L23/373 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明的复合材料包含多个金刚石颗粒、铜以及选自硅、铬、钴、镍、钼、钛、钒、铌、钽、钨及铝中的至少一种的第一元素，上述第一元素相对于上述铜和上述第一元素的合计质量的含有率为50ppm以上且2000ppm以下。

公开(公告)号：CN100524709C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710091457.8

申请日：2002-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高岛浩一 ,  山形伸一 ,  安部诱岳 ,  笹目彰

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。

公开(公告)号：CN100353536C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN02802972.0

申请日：2002-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高岛浩一 ,  山形伸一 ,  安部诱岳 ,  笹目彰

IPC: H01L23/36

CPC classification number: B22F3/26 ,  B22F7/08 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/12042 ,  Y10T428/12479 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1121 ,  B22F2207/11 ,  B22F2207/01 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。

公开(公告)号：CN101026137A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710091457.8

申请日：2002-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高岛浩一 ,  山形伸一 ,  安部诱岳 ,  笹目彰

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m·K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。

公开(公告)号：CN115461480A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180026819.3

申请日：2021-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  联合材料公司

Inventor： 真岛正利 ,  丰岛刚平 ,  高岛浩一

IPC: C22C26/00 ,  C25D7/00 ,  H01L23/373 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明的复合材料包含多个金刚石颗粒、铜以及选自硅、铬、钴、镍、钼、钛、钒、铌、钽、钨及铝中的至少一种的第一元素，上述第一元素相对于上述铜和上述第一元素的合计质量的含有率为50ppm以上且2000ppm以下。