公开(公告)号：CN102203936B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080003115.6

申请日：2010-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 冈田政也 ,  木山诚 ,  八重樫诚司 ,  中田健

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括对抗浪涌电压等的旁路保护单元，实现了良好的耐压特性和低的导通电阻(低导通状态电压)，具有简单结构并且用于大电流目的。在本发明中，半导体器件包括：n+型GaN衬底1，其具有与支撑衬底欧姆接触的GaN层；FET，其在第一区域R1中具有n-型GaN漂移层2；以及SBD，其具有第二区域R2中的阳极电极，阳极电极与n-型GaN漂移层2形成肖特基接触。FET和SBD并联布置。FET的漏电极D和SBD的阴极电极C形成在n+型GaN衬底1的背面上。

公开(公告)号：CN102203936A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201080003115.6

申请日：2010-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 冈田政也 ,  木山诚 ,  八重樫诚司 ,  中田健

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括对抗浪涌电压等的旁路保护单元，实现了良好的耐压特性和低的导通电阻(低导通状态电压)，具有简单结构并且用于大电流目的。在本发明中，半导体器件包括：n+型GaN衬底1，其具有与支撑衬底欧姆接触的GaN层；FET，其在第一区域R1中具有n-型GaN漂移层2；以及SBD，其具有第二区域R2中的阳极电极，阳极电极与n-型GaN漂移层2形成肖特基接触。FET和SBD并联布置。FET的漏电极D和SBD的阴极电极C形成在n+型GaN衬底1的背面上。

公开(公告)号：CN113169052B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201980080761.3

申请日：2019-12-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 真壁勇夫 ,  中田健

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  C23C16/34

Abstract: 氮化物半导体器件的制造方法具有：使用将H2作为载气、将TMG和NH3作为原料、设定为第一温度的立式MOCVD炉在SiC基板上生长GaN沟道层的工序；在设定为比第一温度高的第二温度、将H2作为载气、供给有NH3的MOCVD炉内将生长有GaN沟道层的SiC基板保持的工序；和使用将N2作为载气、将TMI和TMA以及NH3作为原料、设定为比第一温度低的第三温度的MOCVD炉在GaN沟道层上生长InAlN层的工序。

公开(公告)号：CN113169052A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080761.3

申请日：2019-12-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 真壁勇夫 ,  中田健

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  C23C16/34

Abstract: 氮化物半导体器件的制造方法具有：使用将H2作为载气、将TMG和NH3作为原料、设定为第一温度的立式MOCVD炉在SiC基板上生长GaN沟道层的工序；在设定为比第一温度高的第二温度、将H2作为载气、供给有NH3的MOCVD炉内将生长有GaN沟道层的SiC基板保持的工序；和使用将N2作为载气、将TMI和TMA以及NH3作为原料、设定为比第一温度低的第三温度的MOCVD炉在GaN沟道层上生长InAlN层的工序。