结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统

    公开(公告)号:CN111383911B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN201911366053.4

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时,通过使第二边比第一边短,使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小,使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行,使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行,从而得到一种结晶性氧化物膜,该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边,第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小,第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行,第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

    半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110785836A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201880042217.5

    申请日:2018-05-25

    Abstract: 在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中,活性区域(1)采用如下结构:具备:具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层;具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部;在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19);配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14);形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20);以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且,JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位,并且仅配置于活性区域(1)内。

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