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公开(公告)号：CN103227259A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310037581.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L31/02 , B23K26/0622 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L31/03044 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件（1），其具有蓝宝石基板（100）、层叠在蓝宝石基板（100）上的下侧半导体层（210）以及上侧半导体层（220），蓝宝石基板（100）具备基板上表面（113）、基板底面、第1基板侧面（111）以及第2基板侧面（112），并且，在第1基板侧面（111）以及第2基板侧面（112）与基板上表面（113）的边界设置有多个第1切口（121a）以及多个第2切口（122a），下侧半导体层（210）具备下侧半导体底面、下侧半导体上表面（213）、第1下侧半导体侧面（211）以及第2下侧半导体侧面（212），在第1下侧半导体侧面（211）设置有多个第1凸部（211a）以及多个第1凹部（211b），在第2下侧半导体侧面（212）设置有多个第2突起部（212a）以及第2平坦部（212b）。
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公开(公告)号：CN107863430B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103779472B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310507863.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/44
Abstract: 本发明的课题在于使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。半导体发光元件（1）具备：n型半导体层（120）、发光层（130）和p型半导体层（140）、与p型半导体层（140）连接的p侧电极部（150）、与n型半导体层（120）连接的n侧电极部（160）。n侧电极部（160）具有n侧供电电极（162）、n侧辅助电极（163）和n侧连接电极（164），n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）从发光层（130）看设置在p型半导体层（140）的内侧。在p型半导体层（140）之上，设置有对于从发光层（130）输出的波长的光透明的供电绝缘层（170），例如成为n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）的下方的部位，被设定为容易反射来自发光层（130）的光的厚度，其他的部位被设定为容易透射来自发光层（130）的光的厚度。
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公开(公告)号：CN101978514B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980110336.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件，其特征在于：在基板(11)上按顺序层叠有由化合物半导体形成的n型半导体层(12)、发光层(13)以及p型半导体层(14)，还具备由导电型透光性电极形成的正极(15)以及由导电型电极形成的负极(17)，形成正极(15)的导电型透光性电极是包含具有六方晶构造的组成为In2O3的结晶的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN103227259B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310037581.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L31/02 , B23K26/0622 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L31/03044 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件（1），其具有蓝宝石基板（100）、层叠在蓝宝石基板（100）上的下侧半导体层（210）以及上侧半导体层（220），蓝宝石基板（100）具备基板上表面（113）、基板底面、第1基板侧面（111）以及第2基板侧面（112），并且，在第1基板侧面（111）以及第2基板侧面（112）与基板上表面（113）的边界设置有多个第1切口（121a）以及多个第2切口（122a），下侧半导体层（210）具备下侧半导体底面、下侧半导体上表面（213）、第1下侧半导体侧面（211）以及第2下侧半导体侧面（212），在第1下侧半导体侧面（211）设置有多个第1凸部（211a）以及多个第1凹部（211b），在第2下侧半导体侧面（212）设置有多个第2突起部（212a）以及第2平坦部（212b）。
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公开(公告)号：CN103779472A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310507863.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/44
Abstract: 本发明的课题在于使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。半导体发光元件（1）具备：n型半导体层（120）、发光层（130）和p型半导体层（140）、与p型半导体层（140）连接的p侧电极部（150）、与n型半导体层（120）连接的n侧电极部（160）。n侧电极部（160）具有n侧供电电极（162）、n侧辅助电极（163）和n侧连接电极（164），n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）从发光层（130）看设置在p型半导体层（140）的内侧。在p型半导体层（140）之上，设置有对于从发光层（130）输出的波长的光透明的供电绝缘层（170），例如成为n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）的下方的部位，被设定为容易反射来自发光层（130）的光的厚度，其他的部位被设定为容易透射来自发光层（130）的光的厚度。
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公开(公告)号：CN107863430A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103811617B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201310561694.1
申请日：2013-11-12
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 篠原裕直
Abstract: 本发明使来自经面朝上安装而使用的半导体发光元件的光的输出增加。一种半导体发光元件（1），具有：n型半导体层（120）、发光层（130）、p型半导体层（140）；连接于p型半导体层（140）的p侧供电部（150）；和连接于n型半导体层（120）的n侧供电部（160）。p侧供电部（150）中的p侧供电电极（152）以及n侧供电部（160）中的n侧供电电极（162），从发光层（130）观察设在p型半导体层（140）的背面侧，在p型半导体层（140）与这些p侧供电电极（152）以及n侧供电电极（162）之间，形成有容易反射来自发光层（130）的光的被设定为第1厚度的供电绝缘层（170），在这些电极不存在的部位，除了形成有供电绝缘层（170）以外还形成有被设定为第2厚度的保护绝缘层（180），由此被设定成容易使来自发光层（130）的光透射的第3厚度。
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