公开(公告)号：CN119789647A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411382290.0

申请日：2024-09-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 川冈亚也 ,  松岛健史 ,  三木久幸

IPC: H10H20/853 ,  H10H20/855 ,  H10H20/831

Abstract: 提供实现紫外光的取出效率的提高的发光装置。紫外发光的发光装置具备安装基板、发光元件、透光构件、不活泼化合物、气体层。发光元件配置在安装基板的安装面上，且具有面向与安装面相反一侧的元件主面以及与元件主面邻接的元件侧面。透光构件配置在安装面上，且在与安装面相向的相向区域形成收容空间，且具有构成收容空间的至少局部并能够对发光元件的至少局部收容的凹处。不活泼化合物填充于使元件主面与凹处的第一顶面相向的主相向区域以及使元件侧面中位于元件主面附近的部位与凹处的第一侧壁面相向的第一副相向区域。气体层形成于面向元件侧面中位于安装基板附近的部位的第二副相向区域。

公开(公告)号：CN119866118A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411451297.3

申请日：2024-10-17

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 川冈亚也 ,  松岛健史 ,  三木久幸

IPC: H10H20/85 ,  H10H20/853 ,  H10H20/854 ,  H10H20/855

Abstract: 提供一种发光装置，能够构成为在发光元件的主面与透光构件之间的主间隙保持常温常压下为液体的不活泼化合物，并且在面向发光元件的侧面的间隙形成气体层。发光装置(1)具备：安装基板(10)；紫外光的发光元件(20)，其具有面向与安装面(10a)相反一侧的主面(23)和侧面(24)；透光构件(40)，其在自身与安装基板的安装面之间的间隙形成收容发光元件(2)的收容空间(80)；不活泼化合物(60)，其在收容空间中至少填充于发光元件的主面与透光构件之间的主间隙(81)，且在常温常压下为液体；以及气体层(70)，其形成在收容空间中面向发光元件(20)的侧面的间隙，不活泼化合物在温度25℃时相对于发光元件的主面形成的接触角θ1为10°～30°。

公开(公告)号：CN107863431B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201710763327.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  三木久幸 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/38

Abstract: 一种发光元件，包括：n型半导体层，其主要包括AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)；p型半导体层；发光层，其夹在n型半导体层与p型半导体层之间；n电极，其连接至n型半导体层；以及多个p电极，其连接至p型半导体层并且按照点图案进行布置。n电极的面积不小于基片面积的25％并且不大于基片面积的50％。

公开(公告)号：CN110197862A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910141121.0

申请日：2019-02-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 鎌田良基 ,  松井慎一 ,  面家英树 ,  三木久幸

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/56

Abstract: 本申请涉及半导体器件、发光器件和用于制造发光器件的方法。提供了一种层间绝缘膜的开裂或剥离得到抑制的发光二极管。第一层间绝缘膜在DBR层、第一p电极和第一n电极上连续形成为膜。第一层间绝缘膜是通过交替地沉积SiO2层和TiO2层而形成的多层，并且层的数目为11。SiO2层由具有产生压缩应力的性质的材料形成。当根据第一实施方案的发光二极管暴露于高温时，第一层间绝缘膜中的TiO2层将其性质从产生压缩应力改变为产生拉伸应力。由TiO2层产生的拉伸应力和由SiO2层产生的压缩应力相互抵消。结果，第一层间绝缘膜的内应力得到缓和。

公开(公告)号：CN119789646A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411382155.6

申请日：2024-09-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 川冈亚也 ,  松岛健史 ,  三木久幸

IPC: H10H20/853 ,  H10H20/855 ,  H10H20/831

Abstract: 提供实现紫外光的取出效率的提高的发光装置。紫外发光的发光装置具备安装基板、发光元件、透光构件、不活泼化合物、气体层。发光元件配置在安装基板的安装面上，且具有面向与安装面相反一侧的元件主面以及与元件主面邻接的元件侧面。透光构件配置在安装面上，且在与安装面相向的相向区域形成收容空间，且具有构成收容空间的至少局部并能够对发光元件的至少局部进行收容的凹处。不活泼化合物填充于使元件主面与凹处的第一顶面相向的主相向区域以及使元件侧面中位于元件主面附近的部位与凹处的第一侧壁面相向的第一副相向区域。气体层形成于面向元件侧面中位于安装基板附近的部位的第二副相向区域。

公开(公告)号：CN107863431A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710763327.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  三木久幸 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/38

Abstract: 一种发光元件，包括：n型半导体层，其主要包括AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)；p型半导体层；发光层，其夹在n型半导体层与p型半导体层之间；n电极，其连接至n型半导体层；以及多个p电极，其连接至p型半导体层并且按照点图案进行布置。n电极的面积不小于基片面积的25％并且不大于基片面积的50％。

公开(公告)号：CN107863421A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710685555.8

申请日：2017-08-11

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  篠田大辅 ,  种市章 ,  三木久幸 ,  吉村和孝

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。所述制造发光器件的方法包括：通过溅射来在包括凹凸图案的图案化基片的表面上形成主要包括AlN的成核层；在形成成核层之后，在不低于1150℃的温度下进行热处理；在热处理之后，在图案化基片的形成有成核层的表面上形成AlGaN下层，所述AlGaN下层主要包括AlxGa1-xN(0.04≤x≤1)和平坦表面；以及在AlGaN下层上外延生长第III族氮化物半导体，以形成包括发光层的发光功能部。