公开(公告)号：CN107863421A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710685555.8

申请日：2017-08-11

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  篠田大辅 ,  种市章 ,  三木久幸 ,  吉村和孝

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。所述制造发光器件的方法包括：通过溅射来在包括凹凸图案的图案化基片的表面上形成主要包括AlN的成核层；在形成成核层之后，在不低于1150℃的温度下进行热处理；在热处理之后，在图案化基片的形成有成核层的表面上形成AlGaN下层，所述AlGaN下层主要包括AlxGa1-xN(0.04≤x≤1)和平坦表面；以及在AlGaN下层上外延生长第III族氮化物半导体，以形成包括发光层的发光功能部。