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公开(公告)号：CN115349176A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202180022947.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/778 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。源极电极(S1)形成在凹部(X1)之上。漏极电极(D1)形成在凹部(X2)之上。漏极电极接触区域(DC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ld)大于源极电极接触区域(SC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ls)。
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公开(公告)号：CN107863430B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107863430A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107863421A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710685555.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/0066 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。所述制造发光器件的方法包括：通过溅射来在包括凹凸图案的图案化基片的表面上形成主要包括AlN的成核层；在形成成核层之后，在不低于1150℃的温度下进行热处理；在热处理之后，在图案化基片的形成有成核层的表面上形成AlGaN下层，所述AlGaN下层主要包括AlxGa1-xN(0.04≤x≤1)和平坦表面；以及在AlGaN下层上外延生长第III族氮化物半导体，以形成包括发光层的发光功能部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115298834A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022782.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。
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公开(公告)号：CN115298833A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022817.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/808 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。位错密度为1×106cm‑2以上且1×1010cm‑2以下。第二半导体层(120)与第三半导体层(130)之间的接触面积在栅极宽度方向的每1μm为10μm2以上且200μm2以下。
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公开(公告)号：CN116615804A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180088463.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/06
Abstract: 提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电极(S1)、漏极电极(D1)及栅极电极(G1)。第二半导体层(120)的带隙大于第一半导体层(110)及第三半导体层(130)的带隙。夹着第二半导体层(120)的第一中间层(150)及第二中间层(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。
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公开(公告)号：CN115315813A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022787.X
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。将栅极电极(G1)与第四半导体层(140)接触的栅极电极接触区域(GC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域包围将源极电极(S1)与第二半导体层(120)接触的源极电极接触区域(SC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域的周围。
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