公开(公告)号：CN103839863A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310589003.9

申请日：2013-11-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 安原秀树 ,  吉村和孝

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/6875 ,  C23C16/4581

Abstract: 本发明的课题是抑制使化合物半导体外延生长时的组成不均匀。一种在MOCVD装置中保持晶片（W）的晶片保持体（30），具备：装载晶片（W）的装载部件（40）；和被装载于装载部件（40），并且限制装载部件（40）所装载的晶片（W）的移动的环状的限制部件（50）。在装载部件（40）的上表面设有装载晶片（W）的晶片装载面和装载限制部件（50）的环形装载面，晶片装载面相比于环形装载面向上方突出地形成，并且具有与周缘部相比中央部隆起的凸状的形状，晶片装载面的算术平均粗糙度（Ra）被设定在0.5μm以下。

公开(公告)号：CN107863421A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710685555.8

申请日：2017-08-11

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 斋藤义树 ,  篠田大辅 ,  种市章 ,  三木久幸 ,  吉村和孝

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。所述制造发光器件的方法包括：通过溅射来在包括凹凸图案的图案化基片的表面上形成主要包括AlN的成核层；在形成成核层之后，在不低于1150℃的温度下进行热处理；在热处理之后，在图案化基片的形成有成核层的表面上形成AlGaN下层，所述AlGaN下层主要包括AlxGa1-xN(0.04≤x≤1)和平坦表面；以及在AlGaN下层上外延生长第III族氮化物半导体，以形成包括发光层的发光功能部。

公开(公告)号：CN109728144B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201811245219.2

申请日：2018-10-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 吉村和孝 ,  斋藤义树

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了模板衬底及其制造方法以及发光器件，以抑制在衬底附近出现异常晶体生长区域。模板衬底包括衬底、三维生长层、掩埋层、未掺杂层和n型层。衬底的表面具有非均匀形状。非均匀形状具有其中按等边三角形网格周期性地布置有突起的图案。突起的弯曲表面具有这样的形状：使得其中相对于衬底的主表面的倾斜角在30°至50°的范围内的弯曲表面区域的面积与突起的整个表面积的百分比为30％或更小。突起具有60°至90°的接触角。

公开(公告)号：CN109728144A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811245219.2

申请日：2018-10-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 吉村和孝 ,  斋藤义树

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了模板衬底及其制造方法以及发光器件，以抑制在衬底附近出现异常晶体生长区域。模板衬底包括衬底、三维生长层、掩埋层、未掺杂层和n型层。衬底的表面具有非均匀形状。非均匀形状具有其中按等边三角形网格周期性地布置有突起的图案。突起的弯曲表面具有这样的形状：使得其中相对于衬底的主表面的倾斜角在30°至50°的范围内的弯曲表面区域的面积与突起的整个表面积的百分比为30％或更小。突起具有60°至90°的接触角。

公开(公告)号：CN103839863B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310589003.9

申请日：2013-11-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 安原秀树 ,  吉村和孝

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明的课题是抑制使化合物半导体外延生长时的组成不均匀。一种在MOCVD装置中保持晶片（W）的晶片保持体（30），具备：装载晶片（W）的装载部件（40）；和被装载于装载部件（40），并且限制装载部件（40）所装载的晶片（W）的移动的环状的限制部件（50）。在装载部件（40）的上表面设有装载晶片（W）的晶片装载面和装载限制部件50）的环形装载面，晶片装载面相比于环形装载面向上方突出地形成，并且具有与周缘部相比中央部隆起的凸状的形状，晶片装载面的算术平均粗糙度（Ra）被设定在0.5μm以下。