公开(公告)号：CN103378255B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310149497.9

申请日：2013-04-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 程田高史

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明的课题是在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中使金属反射膜的可靠性提高。作为解决手段，提供一种半导体发光元件（10），其特征在于，具有：叠层半导体层（126），其层叠有n型半导体层（123）、发光层（124）和p型半导体层（125）；透明导电层（131），其层叠在叠层半导体层（126）的p型半导体层（125）上，且由相对于从发光层（124）射出的光显示透光性的金属氧化物构成；绝缘反射层（132），其层叠在透明导电层（131）上，且设有透明导电层（131）的一部分露出的多个开口部（132h）；金属反射层（133），其形成在绝缘反射层（132）上和绝缘反射层（132）的开口部（132h）内，且由包含铝的金属构成；以及金属接触层（137），其至少设置在透明导电层（131）的在开口部（132h）露出的部分与金属反射层（133）的形成在开口部（132h）内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。

公开(公告)号：CN102246326B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN200980150297.7

申请日：2009-12-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 龟井宏二 ,  大庭玲美 ,  程田高史

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 一种半导体发光元件(1)，具备：基板(110)；含有发光层(150)并层叠于基板(110)上的叠层半导体层(100)；含有铟氧化物并层叠于叠层半导体层(100)上的透明电极(170)；含有作为阀作用金属的一种的钽，并且以与透明电极(170)接触的一侧为钽氮化物层或者钽氧化物层的方式层叠于透明电极(170)上的第1接合层(190)；层叠于第1接合层(190)上，用于与外部电连接的第1焊盘电极(200)。由此，使透明电极或者半导体层与连接电极的接合性以及电极的可靠性提高。

公开(公告)号：CN107863430A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710755921.2

申请日：2017-08-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  程田高史 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。

公开(公告)号：CN107863430B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201710755921.2

申请日：2017-08-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  程田高史 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。

公开(公告)号：CN103904176A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310688058.5

申请日：2013-12-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 程田高史

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具有：层叠了n型半导体层、发光层以及p型半导体层的叠层半导体层；多个n侧电极，其层叠在n型半导体层上且与n型半导体层电连接，该多个n侧电极配置为从层叠方向观察时包围发光层以及p型半导体层的至少一部分的区域；p侧电极，其设在p型半导体层上，对于从发光层输出的光具有反射性，并且与p型半导体层电连接，在从层叠方向观察时，该p侧电极在被多个n侧电极包围的区域具有用于与外部电连接的连接部。由此，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中，解决发光集中于芯片的中央部分且发光效率降低的问题和ESD破坏耐电压的问题。

公开(公告)号：CN103378255A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310149497.9

申请日：2013-04-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 程田高史

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明的课题是在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中使金属反射膜的可靠性提高。作为解决手段，提供一种半导体发光元件（10），其特征在于，具有：叠层半导体层（126），其层叠有n型半导体层（123）、发光层（124）和p型半导体层（125）；透明导电层（131），其层叠在叠层半导体层（126）的p型半导体层（125）上，且由相对于从发光层（124）射出的光显示透光性的金属氧化物构成；绝缘反射层（132），其层叠在透明导电层（131）上，且设有透明导电层（131）的一部分露出的多个开口部（132h）；金属反射层（133），其形成在绝缘反射层（132）上和绝缘反射层（132）的开口部（132h）内，且由包含铝的金属构成；以及金属接触层（137），其至少设置在透明导电层（131）的在开口部（132h）露出的部分与金属反射层（133）的形成在开口部（132h）内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。