公开(公告)号：CN102124574B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200980131958.1

申请日：2009-06-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 平岩大介 ,  冈部健彦 ,  大庭玲美 ,  渡边宗隆

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明的目的在于提供包括提高了接合性及耐腐蚀性的电极的半导体发光元件及其制造方法、半导体发光元件用的电极以及灯。该半导体发光元件包括基板、包含形成在上述基板上而成的发光层的层叠半导体层、形成在上述层叠半导体层的上表面的一个电极(111)、形成在将上述层叠半导体层的一部分切掉而成的半导体层暴露面上的另一个电极，一个电极(111)由接合层(110)和覆盖接合层(110)地形成的焊盘电极(120)构成，焊盘电极(120)的最大厚度形成得大于接合层(110)的最大厚度，且由一个或两个以上的层构成，在接合层(110)和焊盘电极(120)的外周部(110d)、(120d)分别形成膜厚朝向外周侧去逐渐变薄的倾斜面(110c)、(117c)、(119c)，通过使用该半导体发光元件，能够解决上述课题。

公开(公告)号：CN102246326B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN200980150297.7

申请日：2009-12-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 龟井宏二 ,  大庭玲美 ,  程田高史

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 一种半导体发光元件(1)，具备：基板(110)；含有发光层(150)并层叠于基板(110)上的叠层半导体层(100)；含有铟氧化物并层叠于叠层半导体层(100)上的透明电极(170)；含有作为阀作用金属的一种的钽，并且以与透明电极(170)接触的一侧为钽氮化物层或者钽氧化物层的方式层叠于透明电极(170)上的第1接合层(190)；层叠于第1接合层(190)上，用于与外部电连接的第1焊盘电极(200)。由此，使透明电极或者半导体层与连接电极的接合性以及电极的可靠性提高。