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公开(公告)号：CN110197862A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910141121.0
申请日：2019-02-26
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件、发光器件和用于制造发光器件的方法。提供了一种层间绝缘膜的开裂或剥离得到抑制的发光二极管。第一层间绝缘膜在DBR层、第一p电极和第一n电极上连续形成为膜。第一层间绝缘膜是通过交替地沉积SiO2层和TiO2层而形成的多层，并且层的数目为11。SiO2层由具有产生压缩应力的性质的材料形成。当根据第一实施方案的发光二极管暴露于高温时，第一层间绝缘膜中的TiO2层将其性质从产生压缩应力改变为产生拉伸应力。由TiO2层产生的拉伸应力和由SiO2层产生的压缩应力相互抵消。结果，第一层间绝缘膜的内应力得到缓和。
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