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公开(公告)号:CN101978514B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200980110336.0
申请日:2009-01-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件,其特征在于:在基板(11)上按顺序层叠有由化合物半导体形成的n型半导体层(12)、发光层(13)以及p型半导体层(14),还具备由导电型透光性电极形成的正极(15)以及由导电型电极形成的负极(17),形成正极(15)的导电型透光性电极是包含具有六方晶构造的组成为In2O3的结晶的透明导电膜。