半导体发光元件和发光装置

    公开(公告)号:CN103779472A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201310507863.3

    申请日:2013-10-24

    Abstract: 本发明的课题在于使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。半导体发光元件(1)具备:n型半导体层(120)、发光层(130)和p型半导体层(140)、与p型半导体层(140)连接的p侧电极部(150)、与n型半导体层(120)连接的n侧电极部(160)。n侧电极部(160)具有n侧供电电极(162)、n侧辅助电极(163)和n侧连接电极(164),n侧供电电极(162)和n侧辅助电极(163)从发光层(130)看设置在p型半导体层(140)的内侧。在p型半导体层(140)之上,设置有对于从发光层(130)输出的波长的光透明的供电绝缘层(170),例如成为n侧供电电极(162)和n侧辅助电极(163)的下方的部位,被设定为容易反射来自发光层(130)的光的厚度,其他的部位被设定为容易透射来自发光层(130)的光的厚度。

    半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN103779468B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310503421.1

    申请日:2013-10-23

    Abstract: 提供抑制了半导体层的裂纹的半导体发光元件。半导体发光元件包括含有发光层的层叠半导体层,发光层通过通电而发光,层叠半导体层具有:下侧半导体底面(214);从下侧半导体底面(214)的周缘向层叠半导体层的上方且外方立起的半导体侧面;从半导体侧面上方的周缘向层叠半导体层的内方延伸从而朝向上方的下侧半导体上面(213),下侧半导体上面(213)的周缘具有呈直线状延伸的第1直线部(231)及第2直线部(232)、和将第1直线部(231)及第2直线部(232)连接的多个连接部(233),在从与下侧半导体上面(213)垂直的方向观察的情况下,各连接部(233)位于比由连接部(233)连接的第1直线部(231)及第2直线部(232)的延长线彼此的交点靠内侧的位置。

    半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN103779468A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201310503421.1

    申请日:2013-10-23

    Abstract: 提供抑制了半导体层的裂纹的半导体发光元件。半导体发光元件包括含有发光层的层叠半导体层,发光层通过通电而发光,层叠半导体层具有:下侧半导体底面(214);从下侧半导体底面(214)的周缘向层叠半导体层的上方且外方立起的半导体侧面;从半导体侧面上方的周缘向层叠半导体层的内方延伸从而朝向上方的下侧半导体上面(213),下侧半导体上面(213)的周缘具有呈直线状延伸的第1直线部(231)及第2直线部(232)、和将第1直线部(231)及第2直线部(232)连接的多个连接部(233),在从与下侧半导体上面(213)垂直的方向观察的情况下,各连接部(233)位于比由连接部(233)连接的第1直线部(231)及第2直线部(232)的延长线彼此的交点靠内侧的位置。

    半导体发光元件和发光装置

    公开(公告)号:CN103779472B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201310507863.3

    申请日:2013-10-24

    Abstract: 本发明的课题在于使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。半导体发光元件(1)具备:n型半导体层(120)、发光层(130)和p型半导体层(140)、与p型半导体层(140)连接的p侧电极部(150)、与n型半导体层(120)连接的n侧电极部(160)。n侧电极部(160)具有n侧供电电极(162)、n侧辅助电极(163)和n侧连接电极(164),n侧供电电极(162)和n侧辅助电极(163)从发光层(130)看设置在p型半导体层(140)的内侧。在p型半导体层(140)之上,设置有对于从发光层(130)输出的波长的光透明的供电绝缘层(170),例如成为n侧供电电极(162)和n侧辅助电极(163)的下方的部位,被设定为容易反射来自发光层(130)的光的厚度,其他的部位被设定为容易透射来自发光层(130)的光的厚度。

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