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公开(公告)号：CN114616651A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080073880.9
申请日：2020-09-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本公开的实施方式的干式蚀刻方法为一种干式蚀刻方法，其特征在于，使形成于处理体的表面的、包含M‑O键能为5eV以上的金属或前述金属的氧化物的被蚀刻膜与β‑二酮和二氧化氮反应，在不伴有等离子体状态的情况下进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113498547A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080018047.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/28 , H01L21/302
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其是使包含β‑二酮的蚀刻气体与形成于被处理体的表面的金属膜接触而蚀刻所述金属膜的干蚀刻方法，所述方法包括：使包含第1β‑二酮的第1蚀刻气体与上述金属膜接触的第1蚀刻工序；及在上述第1蚀刻工序之后，使包含第2β‑二酮的第2蚀刻气体与上述金属膜接触的第2蚀刻工序，上述第1β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成第1络合物的化合物，上述第2β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成升华点比上述第1络合物低的第2络合物的化合物。
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公开(公告)号：CN117136426A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280028361.X
申请日：2022-04-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于，提供利用能够在无等离子体且低温下去除金属氧化物或金属的气体组合物进行的表面处理方法。本发明的表面处理方法的特征在于，其使气体与被处理体的表面接触，所述气体包含β‑二酮、第一添加气体和第二添加气体，所述第一添加气体为NO，所述第二添加气体为选自由O2及NO2组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN112921320A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110075293.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119404294A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047796.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C23F1/12 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的干式蚀刻方法是使形成于被处理体的表面的被蚀刻膜与β‑二酮和分子内包含卤素原子的气体接触而进行蚀刻，其中，所述被蚀刻膜包含：含有选自由In、Ga、Cu、Co、Fe、Sn、Zn、Al、Ta和As组成的组中的至少1种的金属、上述金属的氧化物或上述金属的氮化物。
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公开(公告)号：CN117157735A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028362.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于，提供利用能够在无等离子体且低温下去除金属氮化物的气体组合物的表面处理方法。本发明的表面处理方法的特征在于，使β‑二酮及NO2与被处理体的表面接触。
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公开(公告)号：CN112921320B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110075293.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。
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公开(公告)号：CN106409656B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610599442.1
申请日：2016-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β‑二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β‑二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。
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