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公开(公告)号：CN114616651A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080073880.9
申请日：2020-09-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本公开的实施方式的干式蚀刻方法为一种干式蚀刻方法，其特征在于，使形成于处理体的表面的、包含M‑O键能为5eV以上的金属或前述金属的氧化物的被蚀刻膜与β‑二酮和二氧化氮反应，在不伴有等离子体状态的情况下进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN117136426A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280028361.X
申请日：2022-04-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于，提供利用能够在无等离子体且低温下去除金属氧化物或金属的气体组合物进行的表面处理方法。本发明的表面处理方法的特征在于，其使气体与被处理体的表面接触，所述气体包含β‑二酮、第一添加气体和第二添加气体，所述第一添加气体为NO，所述第二添加气体为选自由O2及NO2组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN119404294A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047796.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C23F1/12 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的干式蚀刻方法是使形成于被处理体的表面的被蚀刻膜与β‑二酮和分子内包含卤素原子的气体接触而进行蚀刻，其中，所述被蚀刻膜包含：含有选自由In、Ga、Cu、Co、Fe、Sn、Zn、Al、Ta和As组成的组中的至少1种的金属、上述金属的氧化物或上述金属的氮化物。
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公开(公告)号：CN117157735A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028362.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于，提供利用能够在无等离子体且低温下去除金属氮化物的气体组合物的表面处理方法。本发明的表面处理方法的特征在于，使β‑二酮及NO2与被处理体的表面接触。
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