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公开(公告)号：CN118380475B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410814967.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法，碳化硅MOSFET功率器件包括漏极电极，漏极电极的表面依次设置衬底、外延层阱区、源区；外延层、阱区、源区上设置栅沟槽，栅沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，栅沟槽内设置同轴的介质层和栅极电极；介质层包括第一介质层、第二介质层，第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度；栅极电极、介质层、源区的表面设置隔离介质层，第一导电类型源区的表面还设置源极电极。本发明不破坏SiC外延层的晶体结构，显著提高器件的电学性能，能够准确控制栅介质厚度；利用SiC材料各个晶面氧化速率不同，在沟槽底角处形成加厚的第一介质层，显著提升抗击穿能力，极大减小了失效风险。
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公开(公告)号：CN117346620A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311268220.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
IPC: G01B5/00
Abstract: 本发明涉及一种柔性的分体式管类零件检具及其使用方法；将检测块与基板分离，检测块也分割为高度柱和检测组件，通过组合不同高度的高度柱和检测组件，调节检测块在基板上的位置，组合出检具的各检测点，实现管类零件各既定空间位置的检测。本检具各检测点的高度柱和检测组件和基板之间都可以互相拆卸，任意组合，可实现任意走向所有管径的管类零件的检测，实现了检具的重复利用，降低费用成本。制作各个高度的高度柱和与各管径匹配的检测组件备用，可实现快速组装制作检具，大大缩短检具制作周期。
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公开(公告)号：CN117087791A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311093394.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
IPC: B62D65/06
Abstract: 本发明公开了一种汽车顶棚加长改制方法及汽车顶棚、车辆，包括以下步骤：确定原材料顶棚需加长的长度，并确定原材料顶棚的可改制长度；确定所需的原材料顶棚数量及各原材料顶棚上的改制分割处；取前两个原材料顶棚分别按对应的改制分割位置截取一段裁片，两段裁片拼接成改制后顶棚，前一个原材料顶棚剩余的裁断部分与下一个原材料顶棚继续截取裁片并拼接成改制后顶棚；通过热熔机和封箱机固定改制后顶棚拼接完的裁片，完成顶棚加长改制。本发明主要针对加长类的顶棚改制，通过利用零件本身材料进行改制，且改制后的顶棚只产生一条拼接缝，增加美观度，并消除安全隐患。
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公开(公告)号：CN117245908A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311132568.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
IPC: B29C64/153 , B29C64/386 , B29C64/379 , G01N1/28 , B33Y10/00 , B33Y50/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明涉及一种提升3D打印样件性能的制造工艺方法，包括根据零件特性选择非金属粉末类型；构造用于后续后处理所需零件；成型打印；对打印样件性能指标检测；蒸汽熏蒸平滑后处理；后处理工艺参数调整；样件处理后观察表面质量；性能指标测试。本发明通过将蒸汽熏蒸后处理工艺方式引入选择性激光熔融粉末打印零件后处理中，除改善该类形式3D打印样件表面质量，使其达到与传统注塑方式样件同水平表面光洁度之外，提升了3D打印样件的内部机械性能，使其简支梁缺口冲击强度等性能指标明显提升，达到量产车型样件质量性能标准要求；本发明过程简单，将新兴工艺方式相结合，开辟了一条全新的生产制造模式，避免传统制造模式模具的周期成本问题。
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公开(公告)号：CN118380323A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410815963.0
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , G03F9/00
Abstract: 本发明公开了一种SiC器件套刻标记和器件终端同步完成的制造方法，该制造方法与传统的先单独进行光刻标记的形成后进行器件结构制作的工艺方法相比，将光刻标记层和器件终端层用一步光刻完成，其后通过干法刻蚀工艺将光刻标记定型，同时进行终端的刻蚀成型，节省了总工艺步骤和所用光刻版，缩短了工艺时间，降低了人工和物料成本，并有助于较少工艺沾污，提高良率；同时确保了终端层和标记层零套刻偏差，进而降低了终端层和器件其它光刻层的套刻偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118380322A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410814968.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽形成和台面光刻胶自对准覆盖方法，包括以下步骤：在外延层表面沉积第一介质层；涂覆光刻胶并通过光刻在第一介质层上形成用于沟槽刻蚀的图形；刻蚀第一介质层和外延层，形成沟槽，并去除光刻胶；在所得物表面淀积第二介质层，刻蚀第二介质层使第一介质层顶端完全暴露；完全去除第一介质层，并涂覆碳化用光刻胶；通过泛曝光与显影去除部分碳化用光刻胶，使第二介质层的上表面露出；完全去除第二介质层。本发明通过利用自对准方式，可实现台面区域的光刻胶完全覆盖，同时避免沟槽内光刻胶残留，便于后续碳化后仅针对沟槽内部的高温处理；与主流碳化硅制程工艺兼容，单步工艺窗口大，可实现良好的控制，便于大规模生产。
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公开(公告)号：CN118380475A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410814967.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法，碳化硅MOSFET功率器件包括漏极电极，漏极电极的表面依次设置衬底、外延层阱区、源区；外延层、阱区、源区上设置栅沟槽，栅沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，栅沟槽内设置同轴的介质层和栅极电极；介质层包括第一介质层、第二介质层，第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度；栅极电极、介质层、源区的表面设置隔离介质层，第一导电类型源区的表面还设置源极电极。本发明不破坏SiC外延层的晶体结构，显著提高器件的电学性能，能够准确控制栅介质厚度；利用SiC材料各个晶面氧化速率不同，在沟槽底角处形成加厚的第一介质层，显著提升抗击穿能力，极大减小了失效风险。
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公开(公告)号：CN117325366A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311256797.7
申请日：2023-09-27
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种局部增加材料的软硬塑料零件改制方法及经改制的零件，确定零件更改部位；制作辅具；将辅具固定在零件更改部位；将热熔胶融化，填充在辅具内需要增加材料的位置；本发明通过制作更改位置的简易辅具，通过辅具的固定，将热熔胶融化后，填充在需要增加材料的位置，最大限度地满足更改部位的形状要求，能更加精确地验证所有方案；本发明原理简单，操作方便，极大地缩短了试制验证周期，降低了验证成本。
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公开(公告)号：CN116811275A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310728201.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除3D mesh手工包覆件软硬交接痕结构及方法，属于汽车内饰件包覆技术领域，包括骨架，所述骨架上设有骨架主槽，所述骨架主槽内靠近零件外边界一侧设有骨架辅助槽，所述骨架辅助槽和骨架主槽内填充有3D mesh材质填充物，所述3D mesh材质填充物通过表皮包覆至骨架上将其密封。本发明公开了一种消除3D mesh手工包覆件软硬交接痕结构及方法，通过改变骨架结构，在局部增加合适的3D mesh材质填充物填充，释放上层3Dmesh材质填充物的回弹及切边翘曲，减少包覆表皮在软硬交接处受到的来自3D mesh的压力，消除手工包覆软硬交接痕，使得到的手工包覆件具备较高的外观质量，同时外观质量不会随时间迁移而降低，且结构简单，通过增加较少的材料成本。
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公开(公告)号：CN118380322B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410814968.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 , 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽形成和台面光刻胶自对准覆盖方法，包括以下步骤：在外延层表面沉积第一介质层；涂覆光刻胶并通过光刻在第一介质层上形成用于沟槽刻蚀的图形；刻蚀第一介质层和外延层，形成沟槽，并去除光刻胶；在所得物表面淀积第二介质层，刻蚀第二介质层使第一介质层顶端完全暴露；完全去除第一介质层，并涂覆碳化用光刻胶；通过泛曝光与显影去除部分碳化用光刻胶，使第二介质层的上表面露出；完全去除第二介质层。本发明通过利用自对准方式，可实现台面区域的光刻胶完全覆盖，同时避免沟槽内光刻胶残留，便于后续碳化后仅针对沟槽内部的高温处理；与主流碳化硅制程工艺兼容，单步工艺窗口大，可实现良好的控制，便于大规模生产。
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