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公开(公告)号：CN108401151A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810250683.4
申请日：2018-03-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率；然后采集、保存图像，开启单粒子辐照束流；继续采集、保存图像，当单粒子辐照束流达到1×107 ion·cm-2后，关闭单粒子辐照束流，停止采集、保存图像。根据图像数据准确判断互补金属氧化物半导体图像传感器发生的单粒子效应。该方法可靠性高、数据传输速度快、操作方便、简单易行。
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公开(公告)号：CN103616385A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310609114.1
申请日：2013-11-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法，该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成，本发明利用单色仪输出均匀的单色光，并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮，再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管，平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上，根据所采集的图像信息得出光电成像器件的光谱响应，再将光电成像器件受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到器件的光谱响应辐射损伤，本发明所述的方法结构紧凑，操作简单方便。
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公开(公告)号：CN114779035A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210390576.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方程数据的最佳拟合提取Ea步骤完成。本发明所述方法与其他方法相比优势为：低频噪声测试系统由通用分立仪器组成，不需要额外的系统定制，是相对容易实现的测试技术；该测试接口与半导体参数测试系统兼容，与半导体测试系统的软硬件可集成；该方法适用性更强，普遍适用于商用成品器件；噪声功率谱密度为大量噪声信号采样值的统计结果，具有更低的测试误差。
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公开(公告)号：CN109238969A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811240971.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明属于光电器件测试技术领域，涉及一种低温光致发光快速高效测试方法，该方法中涉及装置是由样品室、低温微电机、待测样品、样品架、凸透镜、滤光片、单色仪、入射激光、光致发光、反射激光和探测器组成，通过连接的低温微电机电源开关和转动速度控制电路，使低温样品室内的样品架旋转，让入射激光打在任何一个待测样品上，这样，不但可以保证每一个待测样品发出来的光致发光光路相同，而且只通过一次降温可以测试多个样品，测试精度和测试速度大大提高。本发明具有结构简单、效率高、节省测试时间等特点。
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公开(公告)号：CN106370629A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610720572.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01N21/63
CPC classification number: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法，该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光，经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置，样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口，经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号，并经过锁相放大器对信号进行降噪放大，所采集的不同信号得出光电材料的光致发光谱，再将光电材料受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到光电材料的光致发光谱辐射损伤。该方法减轻了光电材料辐照前后光致发光谱测试的工作量；结构紧凑，操作简单方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119269025A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378302.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器的辐照试验装置，可应用于电子器件辐射效应以及辐射损伤评估技术领域。该试验装置包括：辐照间、辐照板、制冷片、散热装置、程控电源、电缆、真空温箱、测试板、计算机以及橡胶塞，其中，辐照板与制冷片中间的位置用于放置待测试的图像传感器；程控电源用于控制制冷片和散热装置的通断电；辐照后的图像传感器放置于真空温箱内通过电缆与真空温箱外部的测试板连接；以及计算机与测试板相连接，用于控制测试条件以及获取测试结果。通过制冷片以及散热装置的设置能够达到良好的温控效果，同时在辐照后能够迅速将器件转移至真空温箱，避免接触室温而导致缺陷退火。本发明还提供了一种图像传感器的辐照试验测试方法。
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公开(公告)号：CN113125111B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110388186.2
申请日：2021-04-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系，对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流，此外，还需测量垂直腔面发射激光器的光谱，进一步，利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点：考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素，计算结果精确度更高；能够方便测量封装或未封装的垂直腔面发射激光器外量子效率，可用于分析芯片结构和封装结构对垂直腔面发射激光器外量子效率的影响。
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公开(公告)号：CN113125111A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110388186.2
申请日：2021-04-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系，对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流，此外，还需测量垂直腔面发射激光器的光谱，进一步，利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点：考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素，计算结果精确度更高；能够方便测量封装或未封装的垂直腔面发射激光器外量子效率，可用于分析芯片结构和封装结构对垂直腔面发射激光器外量子效率的影响。
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公开(公告)号：CN109459418A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811450590.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使用变温光致发光谱测试分析太阳电池辐射效应的方法，该方法涉及的装置是由激光器、斩波器、凸透镜、低温样品室、载物铜片、待测电池、滤光片、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，该方法对辐照前、辐照后和辐照退火后的电池分别进行了变温光致发光谱测试，将三次测试结果数据进行处理，直接得到太阳电池受辐照后光致发光的辐照损伤情况以及退火后太阳电池的性能恢复情况，并结合阿伦尼乌斯公式拟合，判断辐照在太阳电池中引入的缺陷类型以及在退火后缺陷类型的变化情况。该方法能够比较全面深入的分析太阳电池的辐射效应。且具有操作简单、测试精度高等特点。
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公开(公告)号：CN119291435A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411454842.4
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验装置，可应用于电子器件辐射效应技术领域。该装置包括：脉冲功率辐照装置、辐照腔、测试屏蔽单元、屏蔽柜、第一测试设备、第二测试设备、电源、第一电缆以及信号输入设备，其中，脉冲功率辐照装置用于产生脉冲X射线并进入辐照腔内，以使辐照腔内产生脉冲X射线以及电磁脉冲辐照的环境；测试屏蔽单元位于辐照腔的内部，用于放置待测试的电子器件，使其处于单一的脉冲X射线辐照环境或者脉冲X射线辐照和电磁脉冲辐照环境。通过测试屏蔽单元对测试线路板进行两种不同的方式的屏蔽，实现两种环境的试验测试。本发明还提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验测试方法。
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