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公开(公告)号：CN110361618A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910724249.X
申请日：2019-08-07
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，所述方法能够实现评估CMOS图像传感器不同电路模块的单粒子敏感性，从电路层面分析发生闩锁的具体原因；在地面模拟空间环境辐照试验中，在线实时采集不同电路单元电流电压值，同时采集暗场图像；依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单元电流电压变化，分析发生单粒子闩锁的具体位置和电路模块；本发明实时性强，方法简单快速，可以实时监测CMOS图像传感器单粒子闩锁效应，同时保护CMOS图像传感器发生闩锁后依然能够恢复正常工作，更加准确定位CMOS图像传感器发生单粒子闩锁的电路模块。
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公开(公告)号：CN119269025A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378302.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器的辐照试验装置，可应用于电子器件辐射效应以及辐射损伤评估技术领域。该试验装置包括：辐照间、辐照板、制冷片、散热装置、程控电源、电缆、真空温箱、测试板、计算机以及橡胶塞，其中，辐照板与制冷片中间的位置用于放置待测试的图像传感器；程控电源用于控制制冷片和散热装置的通断电；辐照后的图像传感器放置于真空温箱内通过电缆与真空温箱外部的测试板连接；以及计算机与测试板相连接，用于控制测试条件以及获取测试结果。通过制冷片以及散热装置的设置能够达到良好的温控效果，同时在辐照后能够迅速将器件转移至真空温箱，避免接触室温而导致缺陷退火。本发明还提供了一种图像传感器的辐照试验测试方法。
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公开(公告)号：CN113917513B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111188148.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号的测试方法。该方法涉及装置是由暗室和样品测试板两部分组成。将样品测试板置于暗室内，将辐照后的CMOS图像传感器固定在样品锁紧座上，盖上遮光盖，接通电源，给样品测试板供电，通过计算机软件找到工作温度、像素电压、积分时间、采图频率、采图时长、窗口大小等条件与测试结果和试验数据量之间的关系，依据计算结果确定试验条件，完成随机电报信号的测试。本发明可以在实验室条件下完成电离总剂量产生随机电报信号的准确测试，适用范围广，方法简单，可操作性强。
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公开(公告)号：CN119291435A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411454842.4
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验装置，可应用于电子器件辐射效应技术领域。该装置包括：脉冲功率辐照装置、辐照腔、测试屏蔽单元、屏蔽柜、第一测试设备、第二测试设备、电源、第一电缆以及信号输入设备，其中，脉冲功率辐照装置用于产生脉冲X射线并进入辐照腔内，以使辐照腔内产生脉冲X射线以及电磁脉冲辐照的环境；测试屏蔽单元位于辐照腔的内部，用于放置待测试的电子器件，使其处于单一的脉冲X射线辐照环境或者脉冲X射线辐照和电磁脉冲辐照环境。通过测试屏蔽单元对测试线路板进行两种不同的方式的屏蔽，实现两种环境的试验测试。本发明还提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验测试方法。
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公开(公告)号：CN117425094A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311428523.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/708 , H04N25/707
Abstract: 本发明涉及一种图像边缘检测和电流监测相结合的CMOS图像传感器单粒子闩锁在轨维护方法，该方法采用中值滤波算法对CMOS图像传感器在轨实时采集的图像进行平滑预处理，计算CMOS图像传感器每个像素点的梯度强度和方向，比较每个像素点梯度强度与沿着梯度方向上相邻两个像素点的梯度强度，得到真实边缘响应的图像，应用双阈值检测来确定真实边缘响应图像中像素点的真实边缘、潜在边缘和非边缘。针对潜在边缘像素点，以其为中心，检测其周围是否有一个或多个标记为真实边缘的像素点，最后对真实边缘进行形态学膨胀，同时CMOS图像传感器模拟信号电路模块电流超过正常电流值的1.2倍，则判断此时CMOS图像传感器发生现单粒子闩锁，远程控制电源断电重启。本发明在轨判断卫星用CMOS探测器是否发生单粒子闩锁事件，准确率高，安全性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116389925A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310379602.1
申请日：2023-04-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本公开提供一种用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法，光电成像器件在轨运行后受到高能粒子的辐射损伤，包括：S1，将所述光电成像器件置于表面覆有遮光单元的暗室腔体中；S2，利用温控系统调节所述暗室腔体至预设温度；所述温控系统至少包括信号处理电路、热敏电阻、散热元件、加热元件、模数转换器、多路模拟开关；S3，对所述光电成像器件进行预设时长的退火，记录所述退火的条件信息；S4，利用测试系统中的控制模块设定测试参数，采集所述光电成像器件在不同积分时间下的图像数据；S5，利用计算机对所述图像数据进行处理，获得关键参数数据，并根据所述退火的条件信息和所述关键参数数据对所述光电成像器件进行光电参数的恢复。
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公开(公告)号：CN113917217A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187762.3
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法。该方法涉及装置是由高低温箱和样品测试板两部分组成。将置于高低温箱中的样品测试板接通电源，然后调节高低温箱内的温度调节模块，达到目标温度后，保证测试样品与高低温箱环境温度一致，通过计算机中的采图软件，找出热像素灰度值达到饱和时对应的积分时间，确定为最大积分时间，等间隔选择10个小于最大值的积分时间，每个积分时间下采集10帧图像，完成不同温度下暗场测试；暗电流与工作温度之间的关系可以用阿伦纽斯公式描述，提取曲线的斜率，计算每个像素的暗电流激活能。本发明可以在实验室条件下完成辐照后暗电流激活能的测试，适用范围广，方法简单有效，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN113917513A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111188148.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号的测试方法。该方法涉及装置是由暗室和样品测试板两部分组成。将样品测试板置于暗室内，将辐照后的CMOS图像传感器固定在样品锁紧座上，盖上遮光盖，接通电源，给样品测试板供电，通过计算机软件找到工作温度、像素电压、积分时间、采图频率、采图时长、窗口大小等条件与测试结果和试验数据量之间的关系，依据计算结果确定试验条件，完成随机电报信号的测试。本发明可以在实验室条件下完成电离总剂量产生随机电报信号的准确测试，适用范围广，方法简单，可操作性强。
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公开(公告)号：CN117041532A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311138362.2
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器单粒子翻转在线判别方法，该方法包括：采集初始图像，初始图像为图像传感器在辐照源照射下采集的图像；采集在线图像，在线图像为图像传感器在辐照源照射下工作状态的图像；识别初始图像的第一亮斑、在线图像中的第二亮斑，分别记录第一亮斑信息、第二亮斑信息，亮斑的信息包括亮斑的个数和亮斑占据的像元；根据第一亮斑信息计算初始图像的初始灰度值，根据第二亮斑信息计算在线图像的全局灰度值、列灰度值、行灰度值；将在线图像的全局灰度值、列灰度值、行灰度值与初始图像的初始灰度值比较，进行灰度值异常判别；当灰度值发生异常，判定图像传感器发生单粒子翻转。本公开还提供一种图像传感器失效位置在线判别方法。
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