公开(公告)号：CN107063329A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710200747.5

申请日：2017-03-30

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 冯婕 ,  张翔 ,  文林 ,  马林东 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G01D18/00

CPC classification number: G01D18/00

Abstract: 本发明涉及快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试板、互补金属氧化物半导体传感器样品和计算机组成，利用计算机上安装的读图软件采集大量暗场图像，将图像数据转换为灰度值随时间变化的信号；然后将所获得的灰度值随时间变化的像素信号重新排序，求出其梯度信息，再对像素信号的梯度信息进行滤波，将滤波后的梯度信号与原始的重新排序后的信号相结合，进行重建，得到的重建排序信号，计算信号的波动幅度及台阶个数，将未滤波的信号通过特定判据的判别结果和滤波后的信号通过特定判据的判别结果进行或关系运算，其结果可以正确判断一个像素是否为随机电码信号。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。

公开(公告)号：CN110361618A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910724249.X

申请日：2019-08-07

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭旗 ,  蔡毓龙 ,  李豫东 ,  文林 ,  周东 ,  冯婕 ,  张翔 ,  刘炳凯 ,  傅婧

IPC: G01R31/00 ,  H04N17/00

Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，所述方法能够实现评估CMOS图像传感器不同电路模块的单粒子敏感性，从电路层面分析发生闩锁的具体原因；在地面模拟空间环境辐照试验中，在线实时采集不同电路单元电流电压值，同时采集暗场图像；依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单元电流电压变化，分析发生单粒子闩锁的具体位置和电路模块；本发明实时性强，方法简单快速，可以实时监测CMOS图像传感器单粒子闩锁效应，同时保护CMOS图像传感器发生闩锁后依然能够恢复正常工作，更加准确定位CMOS图像传感器发生单粒子闩锁的电路模块。

公开(公告)号：CN107063329B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201710200747.5

申请日：2017-03-30

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 冯婕 ,  张翔 ,  文林 ,  马林东 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G01D18/00

Abstract: 本发明涉及快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试板、互补金属氧化物半导体传感器样品和计算机组成，利用计算机上安装的读图软件采集大量暗场图像，将图像数据转换为灰度值随时间变化的信号；然后将所获得的灰度值随时间变化的像素信号重新排序，求出其梯度信息，再对像素信号的梯度信息进行滤波，将滤波后的梯度信号与原始的重新排序后的信号相结合，进行重建，得到的重建排序信号，计算信号的波动幅度及台阶个数，将未滤波的信号通过特定判据的判别结果和滤波后的信号通过特定判据的判别结果进行或关系运算，其结果可以正确判断一个像素是否为随机电码信号。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。