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公开(公告)号：CN117910404A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410097689.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种总剂量条件下GaN HEMT器件栅可靠性仿真方法，该方法基于器件几何结构和工艺参数，构建GaN HEMT器件二维仿真结构；基于计算机辅助设计仿真器中的电学特性计算工具，设置电学特性仿真计算的模型，计算仿真器件的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合；基于总剂量效应下GaN HEMT器件辐射损伤的关键物理过程，通过在敏感区域P‑GaN/AlGaN/GaN界面处添加总剂量效应的辐射损伤模型，计算仿真总剂量条件下的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正总剂量效应模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合。该方法可准确定位总剂量效应敏感区域，揭示辐射损伤机制，并可应用至器件研制过程中，减少迭代次数，降低器件研制成本。
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公开(公告)号：CN114779035A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210390576.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方程数据的最佳拟合提取Ea步骤完成。本发明所述方法与其他方法相比优势为：低频噪声测试系统由通用分立仪器组成，不需要额外的系统定制，是相对容易实现的测试技术；该测试接口与半导体参数测试系统兼容，与半导体测试系统的软硬件可集成；该方法适用性更强，普遍适用于商用成品器件；噪声功率谱密度为大量噪声信号采样值的统计结果，具有更低的测试误差。
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公开(公告)号：CN115113012B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210816891.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104133974A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410406739.2
申请日：2014-08-18
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模型的单粒子响应进行对比，验证锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的抗辐射加固效果。该方法解决了地面模拟试验成本较高、机时紧张的问题；有效提高了锗硅异质结双极晶体管的抗单粒子效应能力，同时弥补了工艺实验费用昂贵、周期较长的不足。
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公开(公告)号：CN115113012A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210816891.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
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公开(公告)号：CN119291435A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411454842.4
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验装置，可应用于电子器件辐射效应技术领域。该装置包括：脉冲功率辐照装置、辐照腔、测试屏蔽单元、屏蔽柜、第一测试设备、第二测试设备、电源、第一电缆以及信号输入设备，其中，脉冲功率辐照装置用于产生脉冲X射线并进入辐照腔内，以使辐照腔内产生脉冲X射线以及电磁脉冲辐照的环境；测试屏蔽单元位于辐照腔的内部，用于放置待测试的电子器件，使其处于单一的脉冲X射线辐照环境或者脉冲X射线辐照和电磁脉冲辐照环境。通过测试屏蔽单元对测试线路板进行两种不同的方式的屏蔽，实现两种环境的试验测试。本发明还提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验测试方法。
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公开(公告)号：CN114217199B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202111503480.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。
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公开(公告)号：CN114217199A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111503480.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。
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