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公开(公告)号：CN113156302B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110273437.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
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公开(公告)号：CN114779035A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210390576.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方程数据的最佳拟合提取Ea步骤完成。本发明所述方法与其他方法相比优势为：低频噪声测试系统由通用分立仪器组成，不需要额外的系统定制，是相对容易实现的测试技术；该测试接口与半导体参数测试系统兼容，与半导体测试系统的软硬件可集成；该方法适用性更强，普遍适用于商用成品器件；噪声功率谱密度为大量噪声信号采样值的统计结果，具有更低的测试误差。
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公开(公告)号：CN103926518A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172916.5
申请日：2014-04-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势，本发明所述的方法中使用附加栅电极特殊结构的双极栅控纵向NPN晶体管，能够对双极纵向NPN晶体管的电离辐射损伤进行测试，能够定量揭示和分离双极纵向NPN双极晶体管在遭受到电离辐射后感生的氧化物电荷和界面态数目。
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公开(公告)号：CN115113012B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210816891.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
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公开(公告)号：CN104133974A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410406739.2
申请日：2014-08-18
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模型的单粒子响应进行对比，验证锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的抗辐射加固效果。该方法解决了地面模拟试验成本较高、机时紧张的问题；有效提高了锗硅异质结双极晶体管的抗单粒子效应能力，同时弥补了工艺实验费用昂贵、周期较长的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119882001A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411882732.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于玻璃褐变的辐射剂量探测系统及方法，主要解决现有探测器的探测成本较高、结构复杂等技术问题。本发明的探测系统包括光源、玻璃、图像传感器及信号处理模块；玻璃会在辐照环境下发生褐变；光源的光轴与玻璃表面垂直，且经过玻璃的中心；图像传感器安装于玻璃远离光源的一侧，用于透过玻璃采集光源图像；信号处理模块与图像传感器连接，用于接收图像传感器传输的光源图像，并计算输出辐照环境的参数信息，该探测系统整体结构简单，且探测成本较低。同时，本发明还公开了基于该探测系统的探测方法，该方法便于操作，且探测精度及准确度均较高。
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公开(公告)号：CN117870500A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410048883.7
申请日：2024-01-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种γ射线辐照试验测距装置及测距方法，用于解决现有的测距方法存在测量误差，以及读数误差等技术问题，该测距装置包括固定环和测距单元；固定环套装于辐射源的护源罩外侧，包括相互连接的两个圆弧段，圆弧段的外弧面上分别设有滑轨；测距单元包括测距仪和安装支架，安装支架包括支撑架和弧形安装件；支撑架的一端部沿径向垂直安装于弧形安装件的外弧面上，弧形安装件的内弧面与圆弧段的滑轨滑动连接；支撑架上设有安装槽，用于安装测距仪，且测距仪的测量端远离辐射源，测距仪用于确定待测样品的放置位置。此外，本发明还提供了基于该测距装置的测距方法。
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公开(公告)号：CN114217199B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202111503480.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。
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公开(公告)号：CN114217199A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111503480.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，实现1/f噪声测试系统的测量电阻单元与变温室中待测样品的电气连接及噪声参数传递。本发明可以实现81K‑500K连续可调温度环境中的多种封装半导体器件的1/f噪声测试，用于半导体器件低频噪声测试及半导体器件缺陷的测试与分析。
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公开(公告)号：CN117910404A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410097689.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种总剂量条件下GaN HEMT器件栅可靠性仿真方法，该方法基于器件几何结构和工艺参数，构建GaN HEMT器件二维仿真结构；基于计算机辅助设计仿真器中的电学特性计算工具，设置电学特性仿真计算的模型，计算仿真器件的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合；基于总剂量效应下GaN HEMT器件辐射损伤的关键物理过程，通过在敏感区域P‑GaN/AlGaN/GaN界面处添加总剂量效应的辐射损伤模型，计算仿真总剂量条件下的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正总剂量效应模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合。该方法可准确定位总剂量效应敏感区域，揭示辐射损伤机制，并可应用至器件研制过程中，减少迭代次数，降低器件研制成本。
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