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公开(公告)号：CN113156301A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110273436.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
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公开(公告)号：CN113156302B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110273437.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
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公开(公告)号：CN113156301B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110273436.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
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公开(公告)号：CN113156302A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110273437.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
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