公开(公告)号：CN117910404A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410097689.8

申请日：2024-01-24

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 李小龙 ,  王信 ,  刘默寒 ,  于新 ,  税国华 ,  林涛 ,  魏莹 ,  郑齐文 ,  孙静 ,  陆妩 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明涉及一种总剂量条件下GaN HEMT器件栅可靠性仿真方法，该方法基于器件几何结构和工艺参数，构建GaN HEMT器件二维仿真结构；基于计算机辅助设计仿真器中的电学特性计算工具，设置电学特性仿真计算的模型，计算仿真器件的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合；基于总剂量效应下GaN HEMT器件辐射损伤的关键物理过程，通过在敏感区域P‑GaN/AlGaN/GaN界面处添加总剂量效应的辐射损伤模型，计算仿真总剂量条件下的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正总剂量效应模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合。该方法可准确定位总剂量效应敏感区域，揭示辐射损伤机制，并可应用至器件研制过程中，减少迭代次数，降低器件研制成本。