一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法

    公开(公告)号:CN113125111B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202110388186.2

    申请日:2021-04-10

    Abstract: 本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法,属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为:测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系,对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流,此外,还需测量垂直腔面发射激光器的光谱,进一步,利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点:考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素,计算结果精确度更高;能够方便测量封装或未封装的垂直腔面发射激光器外量子效率,可用于分析芯片结构和封装结构对垂直腔面发射激光器外量子效率的影响。

    一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法

    公开(公告)号:CN113125111A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110388186.2

    申请日:2021-04-10

    Abstract: 本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法,属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为:测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系,对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流,此外,还需测量垂直腔面发射激光器的光谱,进一步,利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点:考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素,计算结果精确度更高;能够方便测量封装或未封装的垂直腔面发射激光器外量子效率,可用于分析芯片结构和封装结构对垂直腔面发射激光器外量子效率的影响。

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