-
公开(公告)号：CN102117768A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244525.9
申请日：2009-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。
-
公开(公告)号：CN104682910A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510104697.1
申请日：2015-03-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H03H7/09
Abstract: 本发明公开了一种互感耦合滤波器，其互感结构单元具有两个或多个相互交叠但不短路的电感。本发明的滤波器基于IPD技术，通过合理的仿真计算，来实现一种集成度高、性能好的互感耦合滤波器。本发明采用高阻硅为基材，具有较好的高频特性；采用半导体工艺完成所有工艺制程，可以精确控制每一层金属和介质的尺寸，保证产品的质量和可靠性；实现了两个或多个电感相互交叠又不短路的结构，获得了较大的交叠耦合，将电感采用部分重叠的方式布局可以简单获得较大的互感值，从而实现损耗较小的滤波器，同时减小滤波器的尺寸；此外，基于互感结构可以在滤波器中引入多个可调的传输零点。
-
公开(公告)号：CN102169845B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110042643.9
申请日：2011-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , B23K1/00 , H01L23/00 , H01L23/488
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K2101/40 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13019 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/3012 , H01L2224/30181 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81395 , H01L2224/8181 , H01L2224/81986 , H01L2224/83855 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01055 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明涉及一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法。所述方法包括：在一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成硬金属锥形阵列；在另一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成软金属层；在两个待混合键合衬底的非金属焊盘表面形成介电粘附层；将硬金属锥形阵列和软金属层对准，进行加热和加压后，使得锥形金属阵列插入到软金属层中，同时介电粘附层相互结合，形成一种混合预键合结构；再进行加热，使插入到软金属层中的锥形金属阵列形成金属间化合物，介电粘附层固化结合。与传统的键合方法相比，本发明方法成品率高，节省键合时间，降低成本，同时提高产品的可靠性。
-
公开(公告)号：CN102117768B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910244525.9
申请日：2009-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。
-
公开(公告)号：CN103094068A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110338301.1
申请日：2011-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例公开了一种高密度嵌入式电容器及其制作方法，该方法包括：提供具有本体层和刻蚀阻挡层的基底；在本体层表面内形成多个垂直度良好且具有高深宽比的沟槽；对沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的本体层材料进行掺杂，得到该电容器的掺杂区，以在本体层与掺杂区接触区域形成三维PN结；形成该电容器的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反，且二者之间电学绝缘，第一电极位于掺杂区两侧或四周，第二电极位于掺杂区表面上。本发明实施例采用三维立体沟槽制作电容器的介质层，使介质层的有效面积远远大于常规电容器的介质层的有效面积，提高了电容器的电容密度，使该电容器能够同时满足低频退耦和高频退耦的要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102103979B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910242759.X
申请日：2009-12-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法，该方法包括：在减薄后的硅片上形成介质层；在硅片上大面积刻蚀出深的硅通孔；在硅片中部的电容区域进行离子扩散，形成PN结；将用于制作硅通孔的孔二次刻蚀至贯通，并在贯通的硅通孔表面制作绝缘层，在贯通的硅通孔中淀积金属铜；在金属铜的上下表面位置制作凸点，并在硅片表面形成相应的电气连接，形成电容；以及将制作好的电容与另一硅基无源器件通过键合相连，完成三维硅基无源电路的制作。利用本发明，摆脱了传统的在硅片上集成电路，大大减少了芯片的面积，节省成本，使得在工艺实现上更为方便，可替代传统的表面贴装器件或者无源电路，特别是在全硅封装领域得到重要应用。
-
公开(公告)号：CN102820268A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110156362.6
申请日：2011-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一钎料层。本发明所提供的键合结构，在第一导电凸块与第一钎料层之间存在第一缓冲层，所述第一缓冲层在低温条件下可阻止第一钎料层向第一导电凸块内扩散，在高温条件下又可融入所述第一钎料层中，因此，本发明所提供的键合结构只需采用小剂量的钎料即可实现键合，且键合后键合界面的结合强度较高，可大大提高键合良率。
-
公开(公告)号：CN102751094A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110101584.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域，具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。本发明还提供一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法。本发明在硅基底上形成铁电薄膜电介质层，具有较高的介电常数及较低的厚度，从而获得较大的电容密度，可实现分立式埋入电容；此外，本发明在下部电极和硅基底之间形成欧姆接触，便于电极的引出和连接，提高了同电路板工艺的兼容性。
-
公开(公告)号：CN102244107A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110176559.6
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底，位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于电容衬底的表面上的下电极，位于下电极的表面上的介质层，位于介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的填充材料，填充材料位于上电极的表面上。本发明电容具有沟槽的结构，不用借助特殊的沉积设备，填充效果满足对高可靠性器件的要求，可以应用于沟槽结构的所有需要完成填充的电容。
-
公开(公告)号：CN102104009A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910242766.X
申请日：2009-12-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.031 seconds)
