公开(公告)号：CN102117768A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910244525.9

申请日：2009-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 万里兮 ,  吕壵 ,  王惠娟

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。

公开(公告)号：CN102104009B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910242766.X

申请日：2009-12-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王惠娟 ,  万里兮 ,  吕壵

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。

公开(公告)号：CN102117768B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200910244525.9

申请日：2009-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 万里兮 ,  吕壵 ,  王惠娟

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。

公开(公告)号：CN102104009A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910242766.X

申请日：2009-12-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王惠娟 ,  万里兮 ,  吕壵

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。