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公开(公告)号：CN116505900A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210061728.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明提供一种高速小信号放大电路，包括：差分放大模块包括至少一级依次级联的差分放大器；单端放大模块包括至少一级依次级联的单端放大器；差分放大模块对差分输入信号进行预放大；第一PMOS管的源极接电源电压，栅极接偏置电压，漏极连接第一NMOS管的漏极；第一NMOS管的栅极连接差分放大模块的输出端，源极接地；第一电容连接于第一PMOS管的漏极和单端放大模块的输入端之间；单端放大模块对第一电容输出的信号进行放大。本发明的高速小信号放大电路可将超导SFQ输出的高速小信号在极低温环境下放大至1.2V，具有将低温超导信号与后续CMOS电路进行放大连接的作用，并能实现吉赫信号的放大与传输。
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公开(公告)号：CN114301403A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111670198.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温放大电路，低温放大电路包括两级放大电路和比较器、trim电路等；两级放大电路用于将几十mV的小信号电压进行两级放大；比较器对放大后的电压进行放大、整形处理得到与传统CMOS电路工作电压。通过本发明的低温放大电路能够给在低温环境下完成输出的有效、可靠传输。
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公开(公告)号：CN111220820A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010061077.5
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管进行预处理，根据预处理后两个相邻切割面的表面电路布局图得到的第一沉积保护层和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位置进行定位标记，对第一截面的表面进行保护层沉积，并根据未被覆盖的第一定位标记位置找到原被覆盖的第一定位标记的位置得到第二定位标记，并根据此第二定位标记进行切割处理，从而形成含有鳍式场效应晶体管针尖样品。本发明提出的制备方法能对所需分析结构进行精准定位，实现了两种截面方向精准定位制样，分别为沿着穿过Fin的方向制样或沿着穿过Gate的方向制样，制样时间缩短且制备流程高效可靠。
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公开(公告)号：CN118190975A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410269647.8
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/04 , G01N23/20008 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种异质界面的TEM制样方法，通过对机械手延伸的方法解决了现有技术存在的问题，能够精准控制机械手的延伸长度，延伸长度可在几至几十微米的范围内选择，本文中机械手延伸长度通过控制挖槽宽度和U切，利用机械手在空间旋转180°将延伸长条宽度变成机械手延伸长度，实现机械手延伸长度的精准控制。用延伸后的机械手进行TEM制样避免了因为高低差造成的无法取样，或裂片以后额外增加将界面打磨平整的步骤。本发明无需破真空和打磨操作，实现了高效率的TEM样品制备。
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公开(公告)号：CN116018053A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211554183.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种热辅助型磁性器件、存算一体阵列以及运算方法，其中，热辅助型磁性器件包括磁性器件和产热部件；所述产热部件环绕于所述磁性器件，且设置在靠近磁形器件的自由层且远离参考层的平面上；当磁性器件通入极性与磁性器件初始阻态匹配的写入电流且产热部件同时通电时，才能完成信息写入；产热部件通电后能够使自由层的磁矩更容易翻转，但不足以影响参考层的磁矩状态，同时产热部件产生的磁场不影响自由层和参考层磁矩翻转。本发明能够在同一电路架构下实现信息低功耗非易失性存储和多种高速逻辑计算，降低芯片功耗和成本，提高整体计算能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109559773B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811406131.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN111261515A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010061425.9
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L21/66 , G01Q30/20
Abstract: 本发明涉及微纳尺度材料样品制备技术领域，特别涉及一种电子器件表面处理方法。所述电子器件包括衬底层和设在所述衬底层上的器件结构层，所述器件结构层内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层；所述处理方法包括：对所述器件结构层减薄，使所述金属材料层裸露在所述器件结构层表面，得到第一处理产物；对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。本申请实施例所述的电子器件表面处理方法，通过对器件结构层减薄，使内部的金属材料层裸露出器件结构，然后再刻蚀除去金属材料层，为后续的三维原子探针技术表征分析提供保证，提高三维原子探针技术样品分析的成功率。
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公开(公告)号：CN111240392A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010058966.6
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本申请涉及阈值电压的调节方法、装置、CMOS器件、电子设备及存储介质，该方法通过在CMOS器件的阱区设置接触区；接触区用于和外部电源相连；若CMOS器件的当前工作温度处于预设温度范围内，对接触区施加偏压。如此，可以降低保证CMOS器件的阈值电压维持在正常工作范围内，且不需要额外的工艺调整，可以节约成本。
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公开(公告)号：CN111208319A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010058945.4
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管芯片进行预处理，根据预处理后样品芯片的两个相邻切割面的表面电路布局图得到的减薄表面和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位置进行定位标记，沉积切割保护层并根据其他定位标记在保护层上重新进行定位标记，并根据此标记进行切割处理，从而形成鳍式场效应晶体管针尖样品。相对于现有技术，本发明提出的制备方法能够对所需分析的结构进行精准定位，制得的针尖为器件垂直于硅基体表面部分，制样时间缩短且制备流程高效可靠。
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公开(公告)号：CN109559773A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811406131.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。
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