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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1560925A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200310108977.7
申请日：2004-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
Abstract: 本发明提出了一种局部绝缘体上的硅(partial SOI)制作功率器件，一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)的结构及实现方法。这种局部SOI LDMOS器件的结构特征在于源端远离沟道区的下方无埋氧，有利于散热；源端和沟道区下方的埋氧是连续的而且具有同一厚度；漏端的埋氧与沟道区埋氧虽然连续，但是具有不同的厚度。这种结构克服了常规SOI器件的自热效应，而且提高了器件的击穿电压，降低了源漏电容，提高了器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN100342549C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200310108977.7
申请日：2004-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
Abstract: 本发明提出了一种局部绝缘体上的硅(partial SOI)制作功率器件，一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)的结构及实现方法。这种局部SOI LDMOS器件的结构特征在于源端远离沟道区的下方无埋氧，有利于散热；源端和沟道区下方的埋氧是连续的而且具有同一厚度；漏端的埋氧与沟道区埋氧虽然连续，但是具有不同的厚度。这种结构克服了常规SOI器件的自热效应，而且提高了器件的击穿电压，降低了源漏电容，提高了器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN1547236A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109479.4
申请日：2003-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构，以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列，以达到利用晶体管优良的电流控制特性来控制碳纳米管场发射显示阵列发射电流的目的。制备晶体管控制碳纳米管场发射显示阵列的方法，依次包括在基板上形成晶体管，然后在晶体管漏沉积发射阵列栅绝缘层和发射阵列的栅电极并刻蚀栅孔，最后沉积碳纳米管。采用本发明提供的方法所制作的场发射显示阵列能够使场发射显示器的发射电流稳定、均匀显示，并且发射电流可由晶体管精确控制。
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公开(公告)号：CN109559773B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811406131.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN109559773A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811406131.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。
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