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公开(公告)号：CN109559773B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811406131.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN109559773A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811406131.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN114629478A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011454590.7
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/284
Abstract: 本发明提供一种多级信号选择电路、时序调整系统及方法，包括：多级信号选择模块，对输入信号进行多级延迟，输出多级延迟信号；选通模块，基于控制信号选择对应的延迟信号输出；时序调整电路，基于多级信号选择电路输出的时钟信号对超导控制信号进行采样，以得到用于CMOS电路的控制信号。本发明的多级信号选择电路、时序调整系统及方法解决了超导电路与CMOS电路信号交换及同步的时序调节问题，针对时钟信号等需要延迟的信号进行时序上的选择和延迟调节，更加有效地满足CMOS电路及SRAM的工作需求。
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公开(公告)号：CN110783310A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911012066.1
申请日：2019-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L27/18 , H01L21/768 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片，用于与一外围系统相连，包括自下而上依次堆叠的衬底、半导体电路、隔离层和超导电路，超导电路和所述半导体电路的外露的部分上均覆盖有一钝化层，所述半导体电路和所述超导电路之间通过片内互连节点相连。本发明的半导体电路与超导电路复合芯片实现了半导体电路与超导电路的单片集成，可以兼具半导体集成电路的高密度大容量和超导集成电路的高速低能耗的优点，并提升了超导电路和半导体电路协同工作的稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN116505900A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210061728.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明提供一种高速小信号放大电路，包括：差分放大模块包括至少一级依次级联的差分放大器；单端放大模块包括至少一级依次级联的单端放大器；差分放大模块对差分输入信号进行预放大；第一PMOS管的源极接电源电压，栅极接偏置电压，漏极连接第一NMOS管的漏极；第一NMOS管的栅极连接差分放大模块的输出端，源极接地；第一电容连接于第一PMOS管的漏极和单端放大模块的输入端之间；单端放大模块对第一电容输出的信号进行放大。本发明的高速小信号放大电路可将超导SFQ输出的高速小信号在极低温环境下放大至1.2V，具有将低温超导信号与后续CMOS电路进行放大连接的作用，并能实现吉赫信号的放大与传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114301403A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111670198.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温放大电路，低温放大电路包括两级放大电路和比较器、trim电路等；两级放大电路用于将几十mV的小信号电压进行两级放大；比较器对放大后的电压进行放大、整形处理得到与传统CMOS电路工作电压。通过本发明的低温放大电路能够给在低温环境下完成输出的有效、可靠传输。
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公开(公告)号：CN110554981A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910712286.9
申请日：2019-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于交替偏置的高可靠接口电路结构及方法，其中所述基于交替偏置的高可靠接口电路结构，包括：两个冗余模块，在每个冗余模块内，对整个I2C接口系统进行三模冗余；控制模块，连接至上述的两个冗余模块，用于控制两个冗余模块之间的电源切换和数据传输。本发明的基于交替偏置的高可靠接口电路提供了两个冗余模块，在每个冗余模块内对整个I2C接口系统进行三模冗余，然后，通过控制模块控制两个冗余模块之间的电源切换和数据传输，让各个冗余模块在断电的情况下，半导体材料内发生退火效应，使半导体材料内部被俘获的空穴被复合，抑制了总剂量效应的产生。
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公开(公告)号：CN114301403B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202111670198.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温放大电路，低温放大电路包括两级放大电路和比较器、trim电路等；两级放大电路用于将几十mV的小信号电压进行两级放大；比较器对放大后的电压进行放大、整形处理得到与传统CMOS电路工作电压。通过本发明的低温放大电路能够给在低温环境下完成输出的有效、可靠传输。
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公开(公告)号：CN113839630B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111067453.2
申请日：2021-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可用于超低温的低压差分放大器，包括依次连接的参考电压调节电路、一级差分放大电路和二级CS放大电路，其中，一级差分放大电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管的栅极与参考电压调节电路的输出端相连，源极与第二晶体管的源极相连，漏极作为一级差分放大电路的第一输出端；第二晶体管的栅极与输入信号端相连，漏极作为一级差分放大电路的第二输出端；第三晶体管的栅极与偏置电压端相连，源极与工作电压端相连，漏极与第一晶体管的源极相连。本发明解决(56)对比文件王鹏.高性能CMOS多级运算放大器的研究与设计《.中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》.2021,(第02（2021）期),I135-475.
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公开(公告)号：CN113839630A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111067453.2
申请日：2021-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可用于超低温的低压差分放大器，包括依次连接的参考电压调节电路、一级差分放大电路和二级CS放大电路，其中，一级差分放大电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管的栅极与参考电压调节电路的输出端相连，源极与第二晶体管的源极相连，漏极作为一级差分放大电路的输出端；第二晶体管的栅极与互补输入信号端相连，漏极作为一级差分放大电路的互补信号输出端；第三晶体管的栅极与偏置电压端相连，源极与工作电压端相连，漏极与第一晶体管的源极相连。本发明解决了超导电路和CMOS电路间信号幅值间的匹配问题。
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