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公开(公告)号：CN110233629B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910426799.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M13/19
Abstract: 本发明涉及一种改进的汉明码纠错方法，其中改进的汉明码纠错方法包括以下步骤：将待传输数据依次划分为4位一组的子数据；根据子数据生成4位第一校验码和4位第二校验码；将第一校验码和第二校验码插入到子数据中；将重组后的数据传输到校验码的接收端；在接收端，根据接受到的子数据和校验码的值生成检验状态码，用于检验传输的数据中存在的码位错误。
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公开(公告)号：CN110489267A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618491.9
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F11/10
Abstract: 该发明涉及一种存储器及加固待存储数据的方法，其中所述存储器，包括：数据加固模块，用于加固待存储数据，包括：纠错检错单元，用于对待存储数据进行纠错检错编码和解码；校验码获取单元，连接到所述纠错检错单元，用于获取纠错检错编码的过程中用到的校验码；校验码复制单元，连接至所述校验码获取单元，用于复制所述校验码，使校验码的份数为3份；数据拆分重组单元，用于对数据进行拆分重组；数据拼接单元，连接至所述校验码复制单元，以及连接至所述数据拆分重组单元，用于将拆分重组后的数据与复制后的校验码拼接，获取存储用的加固数据。
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公开(公告)号：CN110233629A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910426799.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M13/19
Abstract: 本发明涉及一种改进的汉明码纠错方法，其中改进的汉明码纠错方法包括以下步骤：将待传输数据依次划分为4位一组的子数据；根据子数据生成4位第一校验码和4位第二校验码；将第一校验码和第二校验码插入到子数据中；将重组后的数据传输到校验码的接收端；在接收端，根据接受到的子数据和校验码的值生成检验状态码，用于检验传输的数据中存在的码位错误。
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公开(公告)号：CN110489267B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910618491.9
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F11/10
Abstract: 该发明涉及一种存储器及加固待存储数据的方法，其中所述存储器，包括：数据加固模块，用于加固待存储数据，包括：纠错检错单元，用于对待存储数据进行纠错检错编码和解码；校验码获取单元，连接到所述纠错检错单元，用于获取纠错检错编码的过程中用到的校验码；校验码复制单元，连接至所述校验码获取单元，用于复制所述校验码，使校验码的份数为3份；数据拆分重组单元，用于对数据进行拆分重组；数据拼接单元，连接至所述校验码复制单元，以及连接至所述数据拆分重组单元，用于将拆分重组后的数据与复制后的校验码拼接，获取存储用的加固数据。
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公开(公告)号：CN110554981A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910712286.9
申请日：2019-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于交替偏置的高可靠接口电路结构及方法，其中所述基于交替偏置的高可靠接口电路结构，包括：两个冗余模块，在每个冗余模块内，对整个I2C接口系统进行三模冗余；控制模块，连接至上述的两个冗余模块，用于控制两个冗余模块之间的电源切换和数据传输。本发明的基于交替偏置的高可靠接口电路提供了两个冗余模块，在每个冗余模块内对整个I2C接口系统进行三模冗余，然后，通过控制模块控制两个冗余模块之间的电源切换和数据传输，让各个冗余模块在断电的情况下，半导体材料内发生退火效应，使半导体材料内部被俘获的空穴被复合，抑制了总剂量效应的产生。
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