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公开(公告)号：CN113917190B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111172714.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜。方法包括步骤：提供FIB设备，将针尖基底和悬臂梁基底固定于样品台上并置于FIB设备的工艺腔室内；利用聚焦离子束刻蚀从针尖基底上切取所需长度的针梢，且利用聚焦离子束刻蚀在悬臂梁基底的一端刻蚀出安装面；将针梢的一端放置于安装面上，并利用聚焦离子束沉积将针梢的一端和安装面相固定；利用聚焦离子束刻蚀对针梢进行轰击削尖，以将针梢加工成所需尺寸的针尖而得到所需的AFM探针。本发明利用FIB技术提供了一种针尖高度和曲率半径可控的AFM探针的制备方法，探针制备的灵活性大大提高，可用于定制各种特殊参数的AFM探针以满足不同的检测需求，有助于提高制备良率和降低制备成本。
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公开(公告)号：CN111220819B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010058948.8
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明涉及材料样品制备技术领域，特别涉及一种聚焦离子束切割制样方法。该方法包括：在经过预处理的样品薄片的表面沉积保护层，得到第一试样；确定所述第一试样的切割中心的位置；其中，所述切割中心为目标结构的定位中心；对所述第一试样进行切割。本申请实施例所述的聚焦离子束切割制样方法，在样品薄片的表面沉积保护层，有利于在制样过程中保护目标结构的完整性，通过确定目标结构的定位中心为切割中心，确保最终得到的样品中包含目标结构，提高制样成功率。
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公开(公告)号：CN113917190A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111172714.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜。方法包括步骤：提供FIB设备，将针尖基底和悬臂梁基底固定于样品台上并置于FIB设备的工艺腔室内；利用聚焦离子束刻蚀从针尖基底上切取所需长度的针梢，且利用聚焦离子束刻蚀在悬臂梁基底的一端刻蚀出安装面；将针梢的一端放置于安装面上，并利用聚焦离子束沉积将针梢的一端和安装面相固定；利用聚焦离子束刻蚀对针梢进行轰击削尖，以将针梢加工成所需尺寸的针尖而得到所需的AFM探针。本发明利用FIB技术提供了一种针尖高度和曲率半径可控的AFM探针的制备方法，探针制备的灵活性大大提高，可用于定制各种特殊参数的AFM探针以满足不同的检测需求，有助于提高制备良率和降低制备成本。
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公开(公告)号：CN110112056A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910340421.1
申请日：2019-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种集成结构的制备方法，包括：S1，在半导体衬底上，沉积一层高分子聚合物，在高分子聚合物的表面形成一层光刻板；S2，通过等离子刻蚀高分子聚合物形成聚合物沟槽，去除光刻板；S3，在聚合物沟槽的壁面覆盖一层金属阻挡层；S4，在聚合物沟槽中填充沉积铜金属以形成铜互连线结构；S5，通过等离子刻蚀将铜金属之间的高分子聚合物全部清除，在铜金属之间形成金属沟槽；S6，在金属沟槽中填充沉积介质材料；S7，在介质材料和铜互连线结构上沉积绝缘材料形成覆盖层。本发明还提供根据上述的制备方法得到的铜互连线与介质材料集成结构。本发明通过在聚合物沟槽中填充铜金属，避免直接对介质材料进行刻蚀所引起的沟槽表面缺陷。
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公开(公告)号：CN111208319B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010058945.4
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管芯片进行预处理，根据预处理后样品芯片的两个相邻切割面的表面电路布局图得到的减薄表面和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位置进行定位标记，沉积切割保护层并根据其他定位标记在保护层上重新进行定位标记，并根据此标记进行切割处理，从而形成鳍式场效应晶体管针尖样品。相对于现有技术，本发明提出的制备方法能够对所需分析的结构进行精准定位，制得的针尖为器件垂直于硅基体表面部分，制样时间缩短且制备流程高效可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111220819A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010058948.8
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明涉及材料样品制备技术领域，特别涉及一种聚焦离子束切割制样方法。该方法包括：在经过预处理的样品薄片的表面沉积保护层，得到第一试样；确定所述第一试样的切割中心的位置；其中，所述切割中心为目标结构的定位中心；对所述第一试样进行切割。本申请实施例所述的聚焦离子束切割制样方法，在样品薄片的表面沉积保护层，有利于在制样过程中保护目标结构的完整性，通过确定目标结构的定位中心为切割中心，确保最终得到的样品中包含目标结构，提高制样成功率。
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公开(公告)号：CN111220820A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010061077.5
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管进行预处理，根据预处理后两个相邻切割面的表面电路布局图得到的第一沉积保护层和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位置进行定位标记，对第一截面的表面进行保护层沉积，并根据未被覆盖的第一定位标记位置找到原被覆盖的第一定位标记的位置得到第二定位标记，并根据此第二定位标记进行切割处理，从而形成含有鳍式场效应晶体管针尖样品。本发明提出的制备方法能对所需分析结构进行精准定位，实现了两种截面方向精准定位制样，分别为沿着穿过Fin的方向制样或沿着穿过Gate的方向制样，制样时间缩短且制备流程高效可靠。
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公开(公告)号：CN110133020A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910339551.3
申请日：2019-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2005 , G01N23/04
Abstract: 本发明涉及一种超薄TEM样品的原位制备方法，包括如下步骤：S1，在原样品的表面，用离子束刻蚀，做好缺陷的位置标记；S2，参照位置标记进行原样品的粗减薄，得到薄膜样品；S3，进行薄膜样品的精细减薄，得到覆盖有碳保护膜的超薄TEM样品。本发明还提供根据上述的原位制备方法得到的超薄TEM薄膜，其中，超薄TEM薄膜的厚度小于30nm。根据本发明的超薄TEM样品的原位制备方法，其中的碳保护层不影响透射电子成像质量。由于碳保护层的支撑作用，在薄膜减薄过程中，有效避免了超薄样品容易发生的弯曲断裂及剥离问题。
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公开(公告)号：CN111261515B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010061425.9
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L21/66 , G01Q30/20
Abstract: 本发明涉及微纳尺度材料样品制备技术领域，特别涉及一种电子器件表面处理方法。所述电子器件包括衬底层和设在所述衬底层上的器件结构层，所述器件结构层内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层；所述处理方法包括：对所述器件结构层减薄，使所述金属材料层裸露在所述器件结构层表面，得到第一处理产物；对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。本申请实施例所述的电子器件表面处理方法，通过对器件结构层减薄，使内部的金属材料层裸露出器件结构，然后再刻蚀除去金属材料层，为后续的三维原子探针技术表征分析提供保证，提高三维原子探针技术样品分析的成功率。
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公开(公告)号：CN111220820B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010061077.5
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管进行预处理，根据预处理后两个相邻切割面的表面电路布局图得到的第一沉积保护层和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位置进行定位标记，对第一截面的表面进行保护层沉积，并根据未被覆盖的第一定位标记位置找到原被覆盖的第一定位标记的位置得到第二定位标记，并根据此第二定位标记进行切割处理，从而形成含有鳍式场效应晶体管针尖样品。本发明提出的制备方法能对所需分析结构进行精准定位，实现了两种截面方向精准定位制样，分别为沿着穿过Fin的方向制样或沿着穿过Gate的方向制样，制样时间缩短且制备流程高效可靠。
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