-
公开(公告)号：CN106025061B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610552773.X
申请日：2016-07-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供种新型量子霍尔器件及其制备方法,包括:1)提供衬底,在所述衬底表面形成第超导薄膜层;2)在所述第超导薄膜层表面覆盖第介电薄膜层;3)然后在所述第介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层;4)在所述步骤3)形成的结构表面自下而上依次形成第二介电薄膜层和第二超导薄膜层;5)在所述衬底表面形成金属电极,所述金属电极与石墨烯层或半导体薄膜层接触。本发明基于二维材料和微电子加工工艺,在该器件中采用两层超导薄膜,利用超导材料对磁场的屏蔽特性,控制作用于器件的磁场大小,当超导薄膜较薄时,屏蔽部分外加磁场,剩余的磁力线形成周期磁场作用于超导薄膜,使其工作在正常态向超导态转变的区间,形成量子器件,在实现量子器件高速低功耗的同时,降低器件制备的技术难度。
-
公开(公告)号：CN103151245B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310103325.8
申请日：2013-03-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学曝光，将预设图形转移至该光刻胶上；在步骤2）之后获得的结构上沉积金属层；然后去除光刻胶并剥离，获得所需金属图形结构；在上述金属图形结构表面沉积薄膜材料，形成薄膜；最后去除剩余金属层得到图形化薄膜。本发明利用通常的图形化技术，实现金属的图形化，再以金属为掩膜板，在衬底上直接沉积高温生长的薄膜材料，该发明即沿用了传统的图形化技术，又克服了光刻胶在高温下无法做掩膜板使用的弊端；与离子束刻蚀方法相比，本发明工艺简单，易于操作，且花费较低。
-
公开(公告)号：CN104045076B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410023150.4
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种氧化石墨烯量子点的制备方法，所述氧化石墨烯量子点的制备方法至少包括：将柠檬酸与浓硫酸混合，并在常压下使得所述柠檬酸和浓硫酸进行反应，形成氧化石墨烯量子点溶液。本发明的氧化石墨烯量子点的制备方法具有工艺简单，原料容易获得，工艺条件易于实现，耗时短等优点。
-
公开(公告)号：CN103708447B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310740378.0
申请日：2013-12-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种氧化石墨烯量子点的提纯方法，所述氧化石墨烯量子点的提纯方法至少包括：提供氧化石墨烯量子点水溶液；在所述氧化石墨烯量子点水溶液中混入表面活性剂以形成混合溶液；向所述混合溶液中加入非极性溶剂，以将所述氧化石墨烯量子点萃取到所述非极性溶剂中，得到氧化石墨烯量子点非极性溶液；干燥所述氧化石墨烯量子点非极性溶液，以得到氧化石墨烯量子点粉体。本发明提供的上述氧化石墨烯量子点的提纯方法可得到高纯度氧化石墨烯量子点粉体。
-
公开(公告)号：CN104992905A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510307155.4
申请日：2015-06-05
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30612
摘要： 本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层；S4：剥离所述掩膜层及其表面的金属层；S5：对所述六角氮化硼衬底进行退火，然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层，在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。本发明不仅可以控制六角氮化硼图形化的形状，大小，还可以选择刻蚀区域，同时可以通过反复刻蚀，控制刻蚀台阶的高度，解决了基于六角氮化硼薄膜器件的图形化加工难题。
-
公开(公告)号：CN104928649A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510189745.1
申请日：2015-04-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： C30B25/186 , C01B32/186 , C22F1/08 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C16/455 , C23F17/00 , C25D3/12 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D7/0614 , C25F3/22 , C30B25/12 , C30B25/165 , C30B29/02
摘要： 本发明提供一种局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法，方法包括：提供局域供碳装置；制备镍铜合金衬底，将镍铜合金衬底置于局域供碳装置内；将放置有镍铜合金衬底的局域供碳装置置于化学气相沉积系统的腔室中，在局域供碳装置中通入气态碳源，从而在镍铜合金衬底上生长石墨烯单晶。本发明制备得到的石墨烯晶畴结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为晶圆级石墨烯单晶在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
-
公开(公告)号：CN103935999A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410196412.7
申请日：2014-05-09
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，其特征在于以天然石墨为原料，极性溶剂为分散介质，在石墨烯量子点辅助下通过机械剥离方法制备高质量石墨烯，主要利用石墨烯量子点在极性溶剂中良好的分散性，及其与石墨烯/石墨烯片层之间较强的非共价键结合，促进天然石墨的剥离和石墨烯纳米片在极性溶剂中的分散，从而获得高质量的石墨烯。本发明是在在不引入表面活性剂、无机盐类、有机盐类等其他杂质的情况下从天然石墨直接获得石墨烯粉体。与已有方法报道不同，本发明所述的方法工艺简单，可在多种极性溶剂中进行，所得石墨烯产率最高可达50％，质量好，且用作辅助剥离的石墨烯量子点可循环使用，因此这种方法非常适合大批量制备石墨烯。
-
公开(公告)号：CN103708447A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310740378.0
申请日：2013-12-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种氧化石墨烯量子点的提纯方法，所述氧化石墨烯量子点的提纯方法至少包括：提供氧化石墨烯量子点水溶液；在所述氧化石墨烯量子点水溶液中混入表面活性剂以形成混合溶液；向所述混合溶液中加入非极性溶剂，以将所述氧化石墨烯量子点萃取到所述非极性溶剂中，得到氧化石墨烯量子点非极性溶液；干燥所述氧化石墨烯量子点非极性溶液，以得到氧化石墨烯量子点粉体。本发明提供的上述氧化石墨烯量子点的提纯方法可得到高纯度氧化石墨烯量子点粉体。
-
公开(公告)号：CN103253661A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310200469.5
申请日：2013-05-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明涉及一种低成本且能大规模制备高质量石墨烯粉体的方法，为将石墨加入到含有氧化剂和插层剂的混合溶液中，搅拌均匀后超声处理，同时持续通入He，形成插层剂和He气分子插层的石墨插层化合物；然后过滤、洗涤、干燥，并在空气中热处理实现石墨插层化合物首次剥离；之后分散于有机溶剂中，持续通入He条件下再次超声处理；然后离心去掉沉淀，取上层溶液进行过滤、洗涤、烘干后即得到石墨烯粉体；本发明的方法安全环保、操作简单，适合大规模生产，制得的石墨烯缺陷少，导电性好。
-
公开(公告)号：CN101894906B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010202118.4
申请日：2010-06-13
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L39/24
摘要： 本发明公开了一种超导台阶结的制备方法，其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜，将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶，再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上；利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力，使所述的超薄超导单晶紧密附着于衬底之上，使所述的超薄超导单晶在衬底台阶附近呈现台阶结构，最后再利用微加工工艺构造微桥结构，成为一定宽度的超导台阶结。包括以下步骤：1)台阶衬底制备；2)超导单晶薄片的剥离并吸附于台阶衬底；3)保护和选择；4)台阶结制备。本发明无需复杂的薄膜生长工艺，采用非常少量的超导单晶即可实现；单晶材料的超导性能要比薄膜材料好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
94 条记录 (耗时 0.045 秒)
