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公开(公告)号：CN107500277B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710890641.2
申请日：2017-09-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。
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公开(公告)号：CN104992905A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510307155.4
申请日：2015-06-05
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30612
摘要： 本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层；S4：剥离所述掩膜层及其表面的金属层；S5：对所述六角氮化硼衬底进行退火，然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层，在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。本发明不仅可以控制六角氮化硼图形化的形状，大小，还可以选择刻蚀区域，同时可以通过反复刻蚀，控制刻蚀台阶的高度，解决了基于六角氮化硼薄膜器件的图形化加工难题。
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公开(公告)号：CN104992905B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510307155.4
申请日：2015-06-05
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层；S4：剥离所述掩膜层及其表面的金属层；S5：对所述六角氮化硼衬底进行退火，然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层，在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。本发明不仅可以控制六角氮化硼图形化的形状，大小，还可以选择刻蚀区域，同时可以通过反复刻蚀，控制刻蚀台阶的高度，解决了基于六角氮化硼薄膜器件的图形化加工难题。
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公开(公告)号：CN107634089B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710890518.0
申请日：2017-09-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯‑硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。
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公开(公告)号：CN107634089A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710890518.0
申请日：2017-09-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯-硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯-硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。
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公开(公告)号：CN107500277A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710890641.2
申请日：2017-09-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。
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公开(公告)号：CN105070347B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510504332.8
申请日：2015-08-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—超导/半导体材料—h‑BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h‑BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外采用石墨烯作为接触电极，沉积金属与石墨烯截面形成一维的线接触，将大大降低超导/半导体器件的接触电阻。
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公开(公告)号：CN104894639B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510316129.8
申请日：2015-06-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324 , C30B25/02
摘要： 本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边微区结构的电阻，使所述窄边微区结构产生高温；接着，通入反应源，调节背栅电压，使石墨烯加热到材料生长需要的温度，实现石墨烯微区加热的原位材料生长。本发明基于石墨烯场效应管的微区加热原位生长材料方法操作简单，可以实现基于不同尺寸的微区高温加热的前提下，原位生长半导体材料，材料生长区域形状可控。另外，微区加热原位生长材料的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，便于大规模阵列及图形化制备，均匀性好。
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公开(公告)号：CN105070347A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510504332.8
申请日：2015-08-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h-BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外采用石墨烯作为接触电极，沉积金属与石墨烯截面形成一维的线接触，将大大降低超导/半导体器件的接触电阻。
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公开(公告)号：CN104894639A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510316129.8
申请日：2015-06-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C30B25/02 , H01L21/20 , H01L21/324
摘要： 本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边微区结构的电阻，使所述窄边微区结构产生高温；接着，通入反应源，调节背栅电压，使石墨烯加热到材料生长需要的温度，实现石墨烯微区加热的原位材料生长。本发明基于石墨烯场效应管的微区加热原位生长材料方法操作简单，可以实现基于不同尺寸的微区高温加热的前提下，原位生长半导体材料，材料生长区域形状可控。另外，微区加热原位生长材料的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，便于大规模阵列及图形化制备，均匀性好。
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