公开(公告)号：CN115498102A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211313444.1

申请日：2022-10-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  江苏云涌电子科技股份有限公司

Inventor： 王浩敏 ,  孔自强 ,  王慧山 ,  陈令修 ,  肖相生

IPC: H01L43/14 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  C23C28/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法，以氢气退火处理后的碳化硅为衬底，硅乙烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，采用化学气相沉积法外延生长单层石墨烯，可制备均匀性较好的石墨烯结构，制备的量子电阻芯片在6T的磁场强度和4.5K的温度下，霍尔电阻测量准确度达到1.2×10‑8，同时相对不确定度达到3×10‑8，复现性达到3×10‑9，在半年内的磁输运特性具有高度稳定性，该量子电阻芯片具有小型化、集成度高、成本优化、经济效益高、适用性强的优点，可直接将该量子电阻芯片集成于便携式量子电阻标准测量系统，有利于推动精密测量行业的进一步发展。