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公开(公告)号：CN101820046B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010143759.7
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明涉及一种本征结的制备方法，包括：(1)高温超导单晶生长；(2)剥离并固定超薄单晶于基片上；(3)超薄单晶选择及厚度确定；(4)本征结制备；其中，步骤(2)中，通过多次剥离BSCCO单晶薄片，将肉眼看不到的单晶碎片吸附于基片表面。步骤(3)根据需要选择合适大小和厚度的单晶用于本征结制备。本发明的优点是(1)采用了超薄的单晶，厚度远小于材料的穿透深度，从而可以有效的吸收被探测信号。同时薄超导单晶有助于本征结和基片之间的热扩散；(2)制备过程没有采用胶固定工艺，有助于超导材料和基片之间的热扩散；(3)单晶表面和基片之间的高度差仅为单晶本身厚度，从几十到几百纳米，和薄膜厚度相当。
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公开(公告)号：CN101894906B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010202118.4
申请日：2010-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种超导台阶结的制备方法，其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜，将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶，再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上；利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力，使所述的超薄超导单晶紧密附着于衬底之上，使所述的超薄超导单晶在衬底台阶附近呈现台阶结构，最后再利用微加工工艺构造微桥结构，成为一定宽度的超导台阶结。包括以下步骤：1)台阶衬底制备；2)超导单晶薄片的剥离并吸附于台阶衬底；3)保护和选择；4)台阶结制备。本发明无需复杂的薄膜生长工艺，采用非常少量的超导单晶即可实现；单晶材料的超导性能要比薄膜材料好。
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公开(公告)号：CN101820046A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010143759.7
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明涉及一种本征结的制备方法，包括：(1)高温超导单晶生长；(2)剥离并固定超薄单晶于基片上；(3)超薄单晶选择及厚度确定；(4)本征结制备；其中，步骤(2)中，通过多次剥离BSCCO单晶薄片，将肉眼看不到的单晶碎片吸附于基片表面。步骤(3)根据需要选择合适大小和厚度的单晶用于本征结制备。本发明的优点是：(1)采用了超薄的单晶，厚度远小于材料的穿透深度，从而可以有效的吸收被探测信号。同时薄超导单晶有助于本征结和基片之间的热扩散；(2)制备过程没有采用胶固定工艺，有助于超导材料和基片之间的热扩散；(3)单晶表面和基片之间的高度差仅为单晶本身厚度，从几十到几百纳米，和薄膜厚度相当。
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公开(公告)号：CN101894906A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010202118.4
申请日：2010-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种超导台阶结的制备方法，其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜，将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶，再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上；利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力，使所述的超薄超导单晶紧密附着于衬底之上，使所述的超薄超导单晶在衬底台阶附近呈现台阶结构，最后再利用微加工工艺构造微桥结构，成为一定宽度的超导台阶结。包括以下步骤：1)台阶衬底制备；2)超导单晶薄片的剥离并吸附于台阶衬底；3)保护和选择；4)台阶结制备。本发明无需复杂的薄膜生长工艺，采用非常少量的超导单晶即可实现；单晶材料的超导性能要比薄膜材料好。
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