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公开(公告)号：CN118957750A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411028016.3
申请日：2024-07-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种氮化铝/金刚石异质结材料及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括氢处理金刚石衬底表面，得到氢终端金刚石；在氢终端金刚石表面外延氮化铝薄膜。本发明采用微波等离子体化学气相沉积以及脉冲激光沉积法生长氮化铝薄膜的制备方式，实现了材料功能层不受器件工艺过程的损害，从而提升了材料电性能及器件性能稳定性，有利于制备高质量的金刚石器件。
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公开(公告)号：CN118109900A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311710823.9
申请日：2023-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法，该方法包括：在氢气气氛下对单晶立方结构的金刚石衬底进行热处理，得到表面修复后的金刚石衬底，其中，金刚石衬底为001晶向。将表面修复后的金刚石衬底在氢等离子体中进行氢处理，在金刚石衬底表面形成C‑H键，得到氢处理后的金刚石衬底。在氢处理后的金刚石衬底表面生长立方结构的氮化铝，制备得到立方结构的金刚石氮化铝异质结外延材料。本发明采用001晶向的立方结构金刚石衬底进行外延生长，可制备得到立方结构氮化铝，形成金刚石氮化铝异质结。制备得到的立方金刚石/立方氮化铝的异质结晶格匹配度高、异质结界面外延缺陷少，提升了金刚石氮化铝异质结外延材料的导电性能。
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公开(公告)号：CN118046257A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410120146.3
申请日：2024-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本申请适用于半导体技术领域，提供了氧化镓衬底减薄方法、衬底及超宽禁带半导体，该方法包括：将待减薄的氧化镓衬底放置于晶圆中心预制的孔洞中；孔洞的尺寸与待减薄的氧化镓衬底的尺寸相同；将待减薄的氧化镓衬底和晶圆固定于载物盘上；依次对待减薄的氧化镓衬底的背面和晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理；取出完成抛光处理的待减薄的氧化镓衬底和晶圆，得到完成减薄的氧化镓衬底。本申请以实现对氧化镓衬底的持续减薄，能够减薄至100μm以下且具有较高的成品率。
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公开(公告)号：CN118957752A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411033252.4
申请日：2024-07-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种大尺寸单晶金刚石衬底及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：自支撑多晶金刚石衬底的制备；覆Ir金刚石复合衬底的制备；单晶金刚石的制备。在Si衬底覆盖金刚石籽晶后生长多晶金刚石；对多晶金刚石正面抛光；在抛光后的多晶金刚石正面固定临时载片；去除Si衬底并对多晶金刚石背面抛光；去除临时载片形成自支撑多晶金刚石衬底；在MgO衬底上沉积定晶向Ir膜得到Ir/MgO复合衬底；将自支撑多晶金刚石衬底正面与Ir/MgO复合衬底进行键合，形成多晶金刚石/定晶向Ir膜/MgO复合衬底；去除MgO衬底形成覆Ir金刚石复合衬底；在覆Ir金刚石复合衬底上生长单晶金刚石，制得大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN118888601A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411012293.5
申请日：2024-07-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/06
摘要： 本发明提供了一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上外延高掺杂浓度p型金刚石外延层；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层，去除高掺杂浓度p型金刚石外延层背部的金刚石衬底；在轻掺杂p型金刚石外延层上刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，阴极区在圆柱的顶部；在轻掺杂p型金刚石外延层上形成N型掺杂；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的背面淀积阳极金属；在光刻阴极区形成氧化铝，淀积阴极金属；在阴极金属上制作阴极电极。本发明制备的肖特基二极管，降低了正向导通电阻，提升了反向击穿电压，从而提升了器件的功率品质因子。
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公开(公告)号：CN118943021A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411012289.9
申请日：2024-07-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/3105
摘要： 本发明提供了一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上通过氢等离子体处理或生长金刚石外延层，形成氢终端金刚石表面导电沟道；在氢终端金刚石表面涂敷一层偶联剂，烘干并高温退火后形成介质层；光刻有源区图形窗口，使用干法刻蚀或者湿法腐蚀去掉介质层，并实现器件隔离；光刻出源电极区域和漏电极区域，淀积源极金属和漏极金属，剥离形成源漏欧姆接触；沉积介质作为栅钝化层；光刻出栅根形貌，刻蚀或者腐蚀上层介质；光刻出栅极窗口，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积钝化层；光刻出电极图形，刻蚀腐蚀出电极。本发明能够实现氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备。
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公开(公告)号：CN117894830A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311717119.6
申请日：2023-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
摘要： 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理，得到氧终端。去除目标区域的保护层，并在氧终端的遮蔽下，在目标区域外延生长氮化铝，制备得到金刚石氮化铝异质结的导电沟道。在目标区域的氮化铝遮蔽下，对目标区域之外的氧终端进行氢等离子体处理，得到氢终端的导电沟道。在氢终端的导电沟道上制备源电极、漏电极，在氮化铝上制备栅电极，得到场效应晶体管。本发明避免了现有方式刻蚀深度难以控制、难以刚好刻蚀至异质结导电沟道上的问题，降低了器件制备难度。
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