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公开(公告)号：CN118109900A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311710823.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法，该方法包括：在氢气气氛下对单晶立方结构的金刚石衬底进行热处理，得到表面修复后的金刚石衬底，其中，金刚石衬底为001晶向。将表面修复后的金刚石衬底在氢等离子体中进行氢处理，在金刚石衬底表面形成C‑H键，得到氢处理后的金刚石衬底。在氢处理后的金刚石衬底表面生长立方结构的氮化铝，制备得到立方结构的金刚石氮化铝异质结外延材料。本发明采用001晶向的立方结构金刚石衬底进行外延生长，可制备得到立方结构氮化铝，形成金刚石氮化铝异质结。制备得到的立方金刚石/立方氮化铝的异质结晶格匹配度高、异质结界面外延缺陷少，提升了金刚石氮化铝异质结外延材料的导电性能。
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公开(公告)号：CN116110970A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310121971.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法，该金属氧化物终端金刚石场效应管晶体管包括：金刚石衬底；源极和漏极，分别设置于金刚石衬底上表面的两侧；金属氧化物终端，设置于金刚石衬底上表面，且位于源极和漏极之间；栅介质层，设置于金属氧化物终端上表面；栅极，设置于栅介质层上表面。本申请金属氧化物终端与栅介质之间晶格匹配，能够有效降低界面态密度，提高金属氧化物终端上表面沉积的栅介质的质量，进而使金属氧化物终端金刚石具备高载流子迁移率，使金属氧化物终端金刚石场效应晶体管具备良好的直流和射频性能。
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公开(公告)号：CN118335762A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410421418.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请适用于半导体探测器技术领域，提供了一种阵列型光电探测器芯片，包括：衬底、第一外延层、第二外延层、隔离层、聚光层、第一电极和第二电极；第一外延层位于衬底之上；第二外延层位于第一外延层之上，第一外延层和第二外延层共同形成相互隔离的n个凸台；相邻凸台之间设置有隔离层；n个凸台呈阵列排布，构成n个阵列排布的探测器像元；其中，n≥2；聚光层位于凸台的台面之上，聚光层包括n个具有曲面结构的微透镜，微透镜与凸台一一对应设置；第一电极与第一外延层形成电连接，各凸台之间通过第一外延层共电极连通；第二电极与第二外延层形成电连接。本申请的阵列型光电探测器芯片能够减小信号串扰，同时提高探测器像元的响应灵敏度。
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公开(公告)号：CN117894830A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311717119.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理，得到氧终端。去除目标区域的保护层，并在氧终端的遮蔽下，在目标区域外延生长氮化铝，制备得到金刚石氮化铝异质结的导电沟道。在目标区域的氮化铝遮蔽下，对目标区域之外的氧终端进行氢等离子体处理，得到氢终端的导电沟道。在氢终端的导电沟道上制备源电极、漏电极，在氮化铝上制备栅电极，得到场效应晶体管。本发明避免了现有方式刻蚀深度难以控制、难以刚好刻蚀至异质结导电沟道上的问题，降低了器件制备难度。
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