公开(公告)号：CN118046257A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410120146.3

申请日：2024-01-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 冯志红 ,  韩仕达 ,  王元刚 ,  敦少博 ,  韩婷婷 ,  刘宏宇 ,  吕元杰 ,  郭红雨 ,  王维 ,  张栋耀 ,  李鹏雨

IPC: B24B1/00 ,  H01L21/02 ,  B24B7/22 ,  B24B29/02 ,  B24B41/06 ,  B24B49/00

Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了氧化镓衬底减薄方法、衬底及超宽禁带半导体，该方法包括：将待减薄的氧化镓衬底放置于晶圆中心预制的孔洞中；孔洞的尺寸与待减薄的氧化镓衬底的尺寸相同；将待减薄的氧化镓衬底和晶圆固定于载物盘上；依次对待减薄的氧化镓衬底的背面和晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理；取出完成抛光处理的待减薄的氧化镓衬底和晶圆，得到完成减薄的氧化镓衬底。本申请以实现对氧化镓衬底的持续减薄，能够减薄至100μm以下且具有较高的成品率。

公开(公告)号：CN117373925A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311205242.X

申请日：2023-09-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘宏宇 ,  吕元杰 ,  孙保瑞 ,  王元刚 ,  李保第 ,  胡泽先 ,  韩仕达 ,  卜爱民 ,  冯志红

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括：在n型氧化镓沟道层、源电极和金属掩膜的表面制备光刻胶，随后对光刻胶进行烘烤和回流处理，形成光刻胶斜面；在光刻胶斜面上垂直注入元素，形成在n型氧化镓沟道层内纵向梯形分布的离子注入区；在源电极和漏电极之间的n型氧化镓沟道层上制备栅介质；在离子注入区所对应的栅介质上制备栅电极，即得氧化镓场效应晶体管。本发明具有工艺简单，可控性好，可制备的光刻胶斜面夹角范围更大，注入的离子深度更深，能够实现更低的导通电阻。

公开(公告)号：CN117373924A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311204809.1

申请日：2023-09-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘宏宇 ,  吕元杰 ,  王元刚 ,  韩仕达 ,  方圆 ,  卜爱民 ,  冯志红

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例提供一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法，涉及氧化镓器件制备技术领域。由于晶体管各电极之间场强的最大值，是由各电极处的载流子数量决定的。本发明通过在鳍式沟道两侧进行离子注入，破坏注入区域内氧化镓沟道层的晶格结构，减少载流子的产生数量，降低各电极处的载流子浓度，从而降低各电极处的载流子数量，增大各晶体管的电极之间可以承受的最大场强，进而提升氧化镓场效应晶体管的击穿电压。进一步的，在n型氧化镓沟道层注入离子后，注入的离子还可以在氧化镓中作为受主耗尽沟道内的载流子，从而降低载流子浓度，进一步提升氧化镓场效应晶体管的击穿电压。