公开(公告)号：CN118897224A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410941481.X

申请日：2024-07-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 高学栋 ,  冯志红 ,  蔚翠 ,  周幸叶 ,  毛泽坤 ,  张栋耀 ,  郭建超 ,  何泽召 ,  周闯杰 ,  刘庆彬 ,  马孟宇

IPC: G01R33/032 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁强测量系统及其应用，金刚石NV色心磁强探头包括金刚石NV色心及位于金刚石NV色心上下表面的磁通量聚集器和微波天线，第一荧光的过滤片，以及用于收集第二荧光的光电探测器；激光光路模块包括激光器，用于产生至少两束激光，每束激光直接照射到其中一个金刚石NV色心上；多探头微波调制模块包括至少两个独立的微波调制单元，每个微波调制单元与其中一个金刚石NV色心磁强探头的微波天线连接，并用于发射调制的微波信号；锁相处理模块分别与至少两套金刚石NV色心磁强探头的光电探测器的输出端连接，且锁相处理模快还需获取调制的微波信号的参考频率。本发明的磁强测量系统可以实现移动环境下的测量。

公开(公告)号：CN118046257A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410120146.3

申请日：2024-01-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 冯志红 ,  韩仕达 ,  王元刚 ,  敦少博 ,  韩婷婷 ,  刘宏宇 ,  吕元杰 ,  郭红雨 ,  王维 ,  张栋耀 ,  李鹏雨

IPC: B24B1/00 ,  H01L21/02 ,  B24B7/22 ,  B24B29/02 ,  B24B41/06 ,  B24B49/00

Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了氧化镓衬底减薄方法、衬底及超宽禁带半导体，该方法包括：将待减薄的氧化镓衬底放置于晶圆中心预制的孔洞中；孔洞的尺寸与待减薄的氧化镓衬底的尺寸相同；将待减薄的氧化镓衬底和晶圆固定于载物盘上；依次对待减薄的氧化镓衬底的背面和晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理；取出完成抛光处理的待减薄的氧化镓衬底和晶圆，得到完成减薄的氧化镓衬底。本申请以实现对氧化镓衬底的持续减薄，能够减薄至100μm以下且具有较高的成品率。