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公开(公告)号：CN108268705B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201711486767.X
申请日：2017-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；在输出端口的反射系数为第二固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；根据输出端口的负载阻抗、输出端口的入射功率波和出射功率波以及输入端口的入射功率波和出射功率波，建立被测件的非线性模型。上述方法能够减少模型参数的个数，降低模型参数提取的难度。
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公开(公告)号：CN107255519B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710379463.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN HEMT器件产生热功耗；利用红外热像仪对GaN HEMT器件进行稳态温度和瞬态温度热分布的测量；利用稳态温度数据和GaN HEMT器件的热功耗，提取电热模型网络拓扑的总热阻；建立瞬态温度数据曲线和电热模型电压之间的误差方程，并提取电热模型参数值；能准确提取GaN HEMT电热模型参数，建立准确的GaN HEMT电热模型，保证GaN HEMT大信号模型在进行微波仿真时更准确。
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公开(公告)号：CN109596866A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811598410.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波功率器件测试领域，提供了一种馈电电路结构和测试夹具。所述电路结构包括：馈电端、微波端和金属传输线；馈电端与外部直流馈电电路连接，微波端与外部测试夹具连接；所述馈电端和所述微波端设置在所述金属传输线的两端，所述金属传输线呈圆弧形；其中，所述金属传输线的长度为以所述馈电端与所述微波端之间的距离为直径的圆的半个周长。本发明的馈电电路结构和测试夹具制作简单，带宽宽，通用性强，测试频率范围大，节约制作成本和开发周期。
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公开(公告)号：CN104866902B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510323649.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的粗模型、输入端的神经网络修正模块、输出端的神经网络修正模块以及各个流控电流源和流控电压源等构成。所述方法针对传统经验模型在太赫兹频段的缺陷，通过神经网络的学习，自动地映射新、旧模型的输入和输出关系以修正粗模型，使得新模型与器件在太赫兹频段的测量特性相吻合，得到适用于太赫兹频段的神经网络模型，且新模型可定标。
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公开(公告)号：CN109164406B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811283843.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制作测试夹具；将所述测试夹具与所述TRL校准件级联，并根据TRL校准件的传输矩阵参数计算测试夹具的散射参数。本发明能够利用已知散射参数的不包含馈线的TRL校准件夹具与测试夹具直接级联测试，可快速准确的提取测试夹具的散射参数，从而无需重新制作基于新测试夹具且包含馈线的TRL校准件，减小了测试夹具散射参数的误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108268705A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711486767.X
申请日：2017-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；在输出端口的反射系数为第二固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；根据输出端口的负载阻抗、输出端口的入射功率波和出射功率波以及输入端口的入射功率波和出射功率波，建立被测件的非线性模型。上述方法能够减少模型参数的个数，降低模型参数提取的难度。
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公开(公告)号：CN107315098A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710392364.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/067
Abstract: 本发明公开了一种微波共面测试探针及其制作方法，属于微波通讯器件技术领域。本发明包括同轴设置的外导体和内导体，在外导体和内导体之间设有绝缘层，外导体的端部设有转接器，内导体向外延伸形成信号线触头，外导体向外延伸形成两个地线触头，两个地线触头相对于信号线触头对称。该探针具有制作简单、成本低廉、维修便利的特点。
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公开(公告)号：CN104865453B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201510323003.3
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面金属层，所述衬底作为整个校准件和被测件的共同衬底。所述校准件不仅可以解决衬底和被测件衬底不匹配的问题，提高了测量的精确度，还可以将校准后的参考平面移到管芯根部，不需要做去嵌入处理，并且采用共面波导结构还可以减小损耗。
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公开(公告)号：CN102064104A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010579121.8
申请日：2010-12-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/338 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种GaN微波器件的T型栅的制作方法，其包括下述步骤：①在GaN基片上生长高温介质层，所述高温介质层的成分为Si3N4；②在上述高温介质层的上表面生长低温介质层，所述低温介质层的成分为SiOxNy；③在上述低温介质层上光刻出所需尺寸的栅凹槽光刻图形，再采用干法刻蚀在所述低温介质层和高温介质层上刻蚀出栅凹槽，并去除剩余的光刻胶；④在低温介质层上光刻出与所述栅凹槽对准的栅帽光刻图形；⑤在上述栅帽图形内制作GaN基体上的肖特基势垒栅。采用本发明栅长更容易控制，提高了GaN微波器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103280419B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310212033.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/673 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种用于存放薄晶圆片的周转存储盒，涉及专门适用于特殊物件或物料的容器、包装元件或包装件技术领域。包括盒体和盒盖，所述盒体上设有舱室平台，舱室平台为一个平滑的圆形平台，平台的直径大于薄晶圆片的直径，沿舱室平台外周的部分弧将盒体分为高低两部分，在盒体低的部分设有取放口，取放口为一条设置在舱室平台外侧的弧形凹槽，所述凹槽紧挨着舱室平台，取放口的高度大于舱室平台的高度，所述盒盖也分为高低两部分，盒盖低的部分与盒体高的部分相适配，盒盖高的部分与盒体低的部分相适配。使用所述存储盒转运薄晶圆片，能够有效保证薄晶圆片的安全且取放薄晶圆片方便。
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