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公开(公告)号：CN107315098B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710392364.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/067
Abstract: 本发明公开了一种微波共面测试探针及其制作方法，属于微波通讯器件技术领域。本发明包括同轴设置的外导体和内导体，在外导体和内导体之间设有绝缘层，外导体的端部设有转接器，内导体向外延伸形成信号线触头，外导体向外延伸形成两个地线触头，两个地线触头相对于信号线触头对称。该探针具有制作简单、成本低廉、维修便利的特点。
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公开(公告)号：CN109164406A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811283843.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制作测试夹具；将所述测试夹具与所述TRL校准件级联，并根据TRL校准件的传输矩阵参数计算测试夹具的散射参数。本发明能够利用已知散射参数的不包含馈线的TRL校准件夹具与测试夹具直接级联测试，可快速准确的提取测试夹具的散射参数，从而无需重新制作基于新测试夹具且包含馈线的TRL校准件，减小了测试夹具散射参数的误差。
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公开(公告)号：CN107255519A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710379463.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: G01J5/00 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN HEMT器件产生热功耗；利用红外热像仪对GaN HEMT器件进行稳态温度和瞬态温度热分布的测量；利用稳态温度数据和GaN HEMT器件的热功耗，提取电热模型网络拓扑的总热阻；建立瞬态温度数据曲线和电热模型电压之间的误差方程，并提取电热模型参数值；能准确提取GaN HEMT电热模型参数，建立准确的GaN HEMT电热模型，保证GaN HEMT大信号模型在进行微波仿真时更准确。
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公开(公告)号：CN104865453A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510323003.3
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面金属层，所述衬底作为整个校准件和被测件的共同衬底。所述校准件不仅可以解决衬底和被测件衬底不匹配的问题，提高了测量的精确度，还可以将校准后的参考平面移到管芯根部，不需要做去嵌入处理，并且采用共面波导结构还可以减小损耗。
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公开(公告)号：CN119154060A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411212436.7
申请日：2024-08-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S1/00
Abstract: 本发明提供一种双压点太赫兹芯片、组件及制备方法。该双压点太赫兹芯片双压点结构包括：基板、信号焊盘和对称设于信号焊盘两侧的两个地焊盘；信号焊盘包括第一信号焊盘和第二信号焊盘，第一信号焊盘靠近双压点太赫兹芯片的边缘，第二信号焊盘靠近双压点太赫兹芯片的内部；第二信号焊盘的宽度小于第一信号焊盘的宽度；两个地焊盘为异形焊盘，两个地焊盘均包括互相连接的第一部和第二部，第一部靠近双压点太赫兹芯片的边缘，第二部的一端与第一部连接，第二部的另一端逐渐向第二信号焊盘靠近；两个地焊盘的第二部与第二信号焊盘横向中轴线之间的最小距离小于探针间距，最大距离大于探针间距。本发明能够使太赫兹芯片减小寄生电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108268705B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201711486767.X
申请日：2017-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；在输出端口的反射系数为第二固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功率波和出射功率波；根据输出端口的负载阻抗、输出端口的入射功率波和出射功率波以及输入端口的入射功率波和出射功率波，建立被测件的非线性模型。上述方法能够减少模型参数的个数，降低模型参数提取的难度。
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公开(公告)号：CN107255519B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710379463.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN HEMT器件产生热功耗；利用红外热像仪对GaN HEMT器件进行稳态温度和瞬态温度热分布的测量；利用稳态温度数据和GaN HEMT器件的热功耗，提取电热模型网络拓扑的总热阻；建立瞬态温度数据曲线和电热模型电压之间的误差方程，并提取电热模型参数值；能准确提取GaN HEMT电热模型参数，建立准确的GaN HEMT电热模型，保证GaN HEMT大信号模型在进行微波仿真时更准确。
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公开(公告)号：CN109596866A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811598410.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波功率器件测试领域，提供了一种馈电电路结构和测试夹具。所述电路结构包括：馈电端、微波端和金属传输线；馈电端与外部直流馈电电路连接，微波端与外部测试夹具连接；所述馈电端和所述微波端设置在所述金属传输线的两端，所述金属传输线呈圆弧形；其中，所述金属传输线的长度为以所述馈电端与所述微波端之间的距离为直径的圆的半个周长。本发明的馈电电路结构和测试夹具制作简单，带宽宽，通用性强，测试频率范围大，节约制作成本和开发周期。
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公开(公告)号：CN109507565A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811363363.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 杭州电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种毫米波放大器芯片测试腔体及其测试方法。现有基于同轴接口的毫米波放大器芯片测试装置的工作频率最高只能至145GHz，不能满足更高频段毫米波放大器芯片的测试、模块实现以及在毫米波前端系统中的使用。本发明一种毫米波放大器芯片测试腔体，包括输入接口腔体、输入端微带探针匹配结构加载腔体、毫米波放大器芯片加载腔体、输出端微带探针匹配结构加载腔体、输出接口腔体、第一电容组合腔体和第二电容组合腔体。第一电容组合腔体、第二电容组合腔体分别设置在毫米波放大器芯片加载腔体的两侧。本发明中毫米波放大器芯片的偏置电压能够分别进行单独供电和电容旁路滤波，简化了测试腔体的结构并改善了电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN104866902B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510323649.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的粗模型、输入端的神经网络修正模块、输出端的神经网络修正模块以及各个流控电流源和流控电压源等构成。所述方法针对传统经验模型在太赫兹频段的缺陷，通过神经网络的学习，自动地映射新、旧模型的输入和输出关系以修正粗模型，使得新模型与器件在太赫兹频段的测量特性相吻合，得到适用于太赫兹频段的神经网络模型，且新模型可定标。
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