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公开(公告)号：CN118394301B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410866938.5
申请日：2024-07-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F7/544
Abstract: 本申请涉及一种函数处理电路的构建方法、函数处理电路和硬件加速器，涉及数据处理技术领域。所述方法包括：对目标函数进行连续二阶函数转换处理，得到所述目标函数的第一子函数；其中，所述目标函数为正弦函数或余弦函数；对所述目标函数进行插值处理，得到所述目标函数的第二子函数；其中，所述第一子函数和所述第二子函数之积表征所述目标函数；根据所述第一子函数、所述第二子函数，以及所述第一子函数和所述第二子函数之积对应的连接乘法器，构建所述目标函数对应的函数处理电路。采用本方法能够提高构建的函数处理电路的收敛速度和吞吐量。
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公开(公告)号：CN112950560B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110195319.4
申请日：2021-02-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06T7/00 , G06T7/62 , G06F16/58 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本公开关于一种电子元器件缺陷检测方法、装置及系统。一个方法实施例中，可以自动检测电子元器件的缺陷，输出缺陷检测结果，可以提高电子元器件缺陷检测的速度。并且，由于公开实施例中，缺陷检测时采用了缺陷检测模型识别出不同的缺陷类型，针对不同的缺陷类型选择更加匹配的缺陷尺寸计算方式，缺陷尺寸计算可以实现对缺陷区域的量化计算，可以减少误判，提高电子元器件缺陷的检测准确率。
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公开(公告)号：CN118011292A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410158778.9
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R33/06
Abstract: 本申请涉及一种磁场检测装置及磁场分析方法、计算机设备、介质和产品，所述装置包括探测环路、第一导线、第二导线、SMA同轴连接器，所述探测环路包括寄生环路和驱动环路，所述寄生环路与所述驱动环路连接；所述第一导线的第一端与所述驱动环路的第一端连接，所述第一导线的第二端与所述SMA同轴连接器的第一端连接；所述第二导线的第一端与所述驱动环路的第二端连接，所述第二导线的第二端与所述SMA同轴连接器的第二端连接；所述探测环路，用于探测电子系统的内部组件之间的磁场信号，并基于所述磁场信号生成感应电流，并通过所述第一导线和所述第二导线向所述SMA同轴连接器传输所述感应电流。采用本装置能提高磁场检测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111340788B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010129610.7
申请日：2020-02-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请提供一种硬件木马版图检测方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质，检测方法包括：获取集成电路的实物版图对应的第一图像和设计版图对应的第二图像，第一图像和第二图像为同质图；对第一图像进行分割处理得到多个第一布局结构图像，对第二图像进行分割处理得到多个第二布局结构图像；对多个第一布局结构图像进行特征提取得到第一形状特征信息；对多个第二布局结构图像进行特征提取得到第二形状特征信息；根据第一形状特征信息和第二形状特征信息获取版图检测信息。通过对比同质的第一图像和第二图像各自对应的形状特征信息能够消除硬件的噪声；对第一图像和第二图像进行分割能够提升对比的准确性，从而提升集成电路芯片制造的安全性。
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公开(公告)号：CN117409893A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311221822.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种材料特性评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：在试验样品所处环境温度为第一温度的情况下，确定试验样品中器件的品质因子，得到第一品质因子；确定校准样品中器件的品质因子，得到第三品质因子；在试验样品所处环境温度从第二温度下降到第一温度后，确定试验样品中器件的品质因子，得到第二品质因子；在校准样品中的器件所处腔体的气压恒定为目标气压的情况下，确定校准样品中器件的品质因子，得到第四品质因子；确定试验样品的第一因子变化度和校准样品的第二因子变化度；基于两变化度之间的差值，确定试验样品的封装材料的吸放气特性评估结果。采用本方法能够提高材料特性评估准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111737935B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010613779.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/33 , G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种功率器件失效率评估方法、计算机设备以及存储介质。功率器件失效率评估方法包括：获取重离子的阈值能量；模拟沉积能量大于或者等于阈值能量的重离子入射至待测态功率器件的过程，确定功率器件的敏感区域；模拟辐射粒子入射至待测态功率器件而产生次级重离子的过程，获取辐射粒子产生的进入敏感区域的次级重离子的沉积能量；根据进入敏感区域的次级重离子的沉积能量与阈值能量的关系，获取待测态功率器件发生单粒子烧毁事件的次数；根据单粒子烧毁事件的次数，评估辐射粒子导致待测态功率器件的失效率情况。本申请可以有效降低测试成本。
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公开(公告)号：CN109726425B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201811306025.9
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种MEMS微梁结构优化方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取MEMS微梁的静态特性参数、动态特性参数以及结构参数；根据静态特性参数、动态特性参数和结构参数，获取MEMS微梁的结构修正参数；采用MEMS微梁的理论模型处理结构参数和结构修正参数，得到MEMS微梁的修正模型；根据修正模型，优化MEMS微梁的结构，从而，本申请MEMS微梁结构优化方法能够快速、准确地获取MEMS微梁的修正模型，再基于修正模型优化MEMS微梁的结构设计，进而，提高MEMS微梁的可靠性。
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公开(公告)号：CN115600546A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211196824.1
申请日：2022-09-28
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G06T7/00
Abstract: 本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种三维集成器件的设计方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：获取目标器件的理论参数，将理论参数输入至仿真模型中，获取仿真模型输出的理论特性；获取根据理论参数制备的样本器件的缺陷参数，并将缺陷参数和理论参数均输入至仿真模型，获取仿真模型输出的生产特性；根据理论特性和生产特性，确定优化维度。本申请能够提升三维集成器件的研发有效性。
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公开(公告)号：CN115327454A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210957121.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种磁场探头。包括依次层叠设置的第一接地层、第一信号层、第二信号层、第二接地层；第一信号层包括第一磁场线圈，第一磁场线圈围成第一磁场感应区域，第二信号层包括第一磁场导线，第一磁场导线沿第二方向延伸，第一磁场导线的第一端通过第一连接通孔与第一接地层和/或第二接地层连接；第一金属通孔，分别与第一磁场线圈沿第二方向的第一侧边和第一磁场导线的第二端连接，用于与第一磁场线圈的第一侧边和第一磁场导线共同围成第二磁场感应区域。从而本申请中的磁场探头放在空间中无需转动调整，即可同时探测两个正交方向的磁场，从而得到的磁场探测数据更加准确，探测也更加方便。
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公开(公告)号：CN115327453A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210955802.2
申请日：2022-08-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电磁场复合探头。包括依次层叠设置的第一接地层、第一信号层、第二信号层、第二接地层；第一信号层包括第一电磁场线圈；第二信号层包括第二电磁场线圈；探头还包括：第一金属通孔；第二金属通孔，分别与第一电磁场线圈沿第一方向的第二侧边和第二电磁场线圈沿第一方向的第二侧边连接，第一金属通孔、第二金属通孔用于与第一电磁场线圈沿第二方向的第三侧边和第二电磁场线圈沿第二方向的第三侧边共同围成电场感应区域，电场感应区域用于感应外界沿第一方向的电场产生的第一电信号。从而本申请中的探头由于电场感应区域的面积比传统的电场探针要大，从而能够准确的探测空间中的电场。
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