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公开(公告)号：CN108376658A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810087138.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L21/68714
Abstract: 本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此，在各被加热区域中，温度推移曲线一致，在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致，因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而，无论是在晶圆(W)的面内，还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间，都能够进行均匀性良好的加热处理。
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公开(公告)号：CN102194662A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050931.9
申请日：2011-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67748 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供一种通过加热器对被处理体进行热处理时，能够抑制该被处理体间的热经历的差异，进一步能够防止装置大型化的技术。构成具有根据由该电压检测部检测出的电压检测值与预先决定的基准电压的比率对应而生成的第1修正值，乘以根据上述加热器的电阻值与预先决定的基准电阻值的比率对应而生成的第2修正值所得的值，以使向加热器的交流电压的导通率变小的方式进行修正的修正部。通过这样的结构，即使交流电压的电压值变大、加热器的电阻值变小，也能够抑制加热器中流动的电流值的上升。因此，能够抑制被处理体间的热经历的差异，进一步能够抑制装置的大型化。
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公开(公告)号：CN109285797B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810794374.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够将加热处理结束后的基片立即冷却，由此停止加热处理的过度进行的技术。在对载置在载置台的基片、即晶片(W)从基片的下表面侧加热来进行加热处理的基片加热装置中，与构成载置台的热板的载置面相对地设置顶棚部，并且在顶棚部设置有珀耳帖元件构成的冷却部。将晶片载置在热板进行加热处理之后，通过升降部将晶片从热板上升至顶棚部的近接位置，由冷却部进行冷却。通过使晶片从热板上升，接近由冷却部冷却了的顶棚部，能够在加热处理后立即进行冷却，因此晶片的温度迅速地降低，能够停止加热处理的过度进行。
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公开(公告)号：CN109285797A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810794374.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够将加热处理结束后的基片立即冷却，由此停止加热处理的过度进行的技术。在对载置在载置台的基片、即晶片(W)从基片的下表面侧加热来进行加热处理的基片加热装置中，与构成载置台的热板的载置面相对地设置顶棚部，并且在顶棚部设置有珀耳帖元件构成的冷却部。将晶片载置在热板进行加热处理之后，通过升降部将晶片从热板上升至顶棚部的近接位置，由冷却部进行冷却。通过使晶片从热板上升，接近由冷却部冷却了的顶棚部，能够在加热处理后立即进行冷却，因此晶片的温度迅速地降低，能够停止加热处理的过度进行。
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公开(公告)号：CN107068588A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H05B1/0233 , H05B2203/037 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112119482B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201980031901.8
申请日：2019-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 重富贤一
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 热处理单元包括：热板，其载置并加热作为处理对象的晶圆；腔室，其构成为能够以包围热板的载置晶圆的载置面的方式配置；升降机构，其构成为能够使腔室升降；冷却体，其构成为能够通过使腔室接近或接触该冷却体来冷却腔室。
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公开(公告)号：CN107068588B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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公开(公告)号：CN112119482A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980031901.8
申请日：2019-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 重富贤一
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 热处理单元包括：热板，其载置并加热作为处理对象的晶圆；腔室，其构成为能够以包围热板的载置晶圆的载置面的方式配置；升降机构，其构成为能够使腔室升降；冷却体，其构成为能够通过使腔室接近或接触该冷却体来冷却腔室。
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公开(公告)号：CN111063623B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910880860.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 重富贤一
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质，能够减少功率使用量。例示的实施方式的基片处理装置包括：收纳作为处理对象的基片的处理室；在处理室内支承并加热基片的热板；从处理室内排出气体的排气部；测量热板的温度的第一温度测量部；测量处理室内的温度的第二温度测量部；和控制热板和排气部的控制部。控制部执行：控制排气部以使得来自处理室内的排气量成为第一排气量，并且控制热板以使得由第一温度测量部测量的测量值接近第一目标值的第一控制；和控制排气部以使得排气量成为比第一排气量少的第二排气量，并且控制热板以使得由第二温度测量部测量的测量值接近第二目标值的第二控制。
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公开(公告)号：CN108376658B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810087138.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此，在各被加热区域中，温度推移曲线一致，在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致，因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而，无论是在晶圆(W)的面内，还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间，都能够进行均匀性良好的加热处理。
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