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公开(公告)号：CN108376658B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810087138.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此，在各被加热区域中，温度推移曲线一致，在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致，因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而，无论是在晶圆(W)的面内，还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间，都能够进行均匀性良好的加热处理。
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公开(公告)号：CN111276396B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201911193354.1
申请日：2019-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 七种刚
Abstract: 本发明提供一种在对基板进行加热处理的热处理装置中，提高基板的热处理的面内均匀性的技术。本发明的热处理装置包括：将载置的基板加热至第1温度的热板；具有支承上述基板的支承部，在上述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基板的搬送体；在上述上方区域中的上述搬送体和上述热板之间交接上述基板的交接机构；在上述外侧区域中将由上述支承部支承的上述热板进行加热前的基板加热至比上述第1温度低的第2温度的加热机构；和为了被上述热板加热完而向上述外侧区域搬送，而将由上述支承部支承的上述基板冷却至比上述第2温度低的第3温度的冷却机构。
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公开(公告)号：CN107068588A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H05B1/0233 , H05B2203/037 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231627B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201711404451.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。在对基板进行热处理的该热处理装置中，以简单的装置结构抑制基板的质量的偏差。热处理装置(40)在包括盖体(130)的处理室(S)内具备热板(132)，该热板载置晶圆(W)并对该载置的晶圆进行加热，该盖体(130)用于覆盖载置在该热板(132)上的晶圆(W)的被处理面，并且，该热处理装置具备：控制部，其对晶圆(W)的温度进行控制；以及温度传感器(133)，其测定盖体(130)的温度，在热板(132)的设定温度被变更了时，控制部基于由温度传感器(133)测定出的盖体(130)的温度来进行对热板(132)的加热量的校正以得到变更后的设定温度。
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公开(公告)号：CN107068588B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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公开(公告)号：CN111276396A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911193354.1
申请日：2019-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 七种刚
Abstract: 本发明提供一种在对基板进行加热处理的热处理装置中，提高基板的热处理的面内均匀性的技术。本发明的热处理装置包括：将载置的基板加热至第1温度的热板；具有支承上述基板的支承部，在上述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基板的搬送体；在上述上方区域中的上述搬送体和上述热板之间交接上述基板的交接机构；在上述外侧区域中将由上述支承部支承的上述热板进行加热前的基板加热至比上述第1温度低的第2温度的加热机构；和为了被上述热板加热完而向上述外侧区域搬送，而将由上述支承部支承的上述基板冷却至比上述第2温度低的第3温度的冷却机构。
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公开(公告)号：CN108376658A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810087138.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L21/68714
Abstract: 本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此，在各被加热区域中，温度推移曲线一致，在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致，因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而，无论是在晶圆(W)的面内，还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间，都能够进行均匀性良好的加热处理。
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公开(公告)号：CN108231627A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711404451.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/027 , G03F7/202 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67225 , H01L21/67248 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供一种热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。在对基板进行热处理的该热处理装置中，以简单的装置结构抑制基板的质量的偏差。热处理装置(40)在包括盖体(130)的处理室(S)内具备热板(132)，该热板载置晶圆(W)并对该载置的晶圆进行加热，该盖体(130)用于覆盖载置在该热板(132)上的晶圆(W)的被处理面，并且，该热处理装置具备：控制部，其对晶圆(W)的温度进行控制；以及温度传感器(133)，其测定盖体(130)的温度，在热板(132)的设定温度被变更了时，控制部基于由温度传感器(133)测定出的盖体(130)的温度来进行对热板(132)的加热量的校正以得到变更后的设定温度。
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