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公开(公告)号：CN103205734B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310015499.9
申请日：2013-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4551 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/52 , F16K37/00 , F16K37/0041 , G01M13/00 , H03K21/00 , H03K21/023
Abstract: 本发明涉及一种处理装置和阀门动作确认方法。本发明的目的在于，把握向处理容器内供给气体的气体供给系统中的阀门的动作状态，实时检测阀门的异常或提前避免。作为MC（401）的下位的控制单元的I/O端口（415）设置DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423），对腔室阀（37、47、57、67）的开闭次数进行计数。当DO开闭计数器（421）的计数值A、DI开闭计数器（423）的计数值B为A=B时，基于DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423）的腔室阀（37）的动作状态判断为正常，当A≠B时，判断为异常。
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公开(公告)号：CN102881618A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210245908.X
申请日：2012-07-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种在真空中进行伴随热的处理的基板处理装置，基板处理系统和基板搬送方法，即使以高速搬送基板也能够提高基板的位置精度。对进行伴随热的真空处理的真空处理单元搬入和搬出基板的基板搬送装置，包括：具有决定基板位置的定位销，在对基板定位的状态下保持基板的拾取器；以通过拾取器对真空处理单元进行基板的搬入和搬出的方式驱动拾取器的驱动部；和控制拾取器的基板搬送动作的搬送控制部，搬送控制部，预先掌握在将基板搬入真空处理单元时的常温中基板的基准位置信息，在实际处理中，将基板搬入真空处理单元时，计算从该基板的基准位置的位置偏移，控制驱动部来修正位置偏移，将基板搬入真空处理单元。
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公开(公告)号：CN108884566A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021606.5
申请日：2017-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , G05B23/02 , H01L21/205
Abstract: 提供一种异常探测系统，所述异常探测系统具有：第一控制器，其控制基板处理装置；以及第二控制器，其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制，所述异常探测系统探测所述设备的异常，其中，所述第二控制器具有存储部，所述存储部在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号，并累积所收集到的该设备的状态信号，所述第一控制器具有异常判定部，所述异常判定部以所述规定时间以上的时间间隔从所述第二控制器获取累积的所述设备的状态信号，基于获取到的所述设备的状态信号来判定所述设备有无异常。
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公开(公告)号：CN103205734A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310015499.9
申请日：2013-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4551 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/52 , F16K37/00 , F16K37/0041 , G01M13/00 , H03K21/00 , H03K21/023
Abstract: 本发明涉及一种处理装置和阀门动作确认方法。本发明的目的在于，把握向处理容器内供给气体的气体供给系统中的阀门的动作状态状态，实时检测阀门的异常或提前避免。作为MC（401）的下位的控制单元的I/O端口（415）设置DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423），对腔室阀（37、47、57、67）的开闭次数进行计数。当DO开闭计数器（421）的计数值A、DI开闭计数器（423）的计数值B为A=B时，基于DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423）的腔室阀（37）的动作状态判断为正常，当A≠B时，判断为异常。
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公开(公告)号：CN108884566B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780021606.5
申请日：2017-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , G05B23/02 , H01L21/205
Abstract: 提供一种异常探测系统，所述异常探测系统具有：第一控制器，其控制基板处理装置；以及第二控制器，其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制，所述异常探测系统探测所述设备的异常，其中，所述第二控制器具有存储部，所述存储部在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号，并累积所收集到的该设备的状态信号，所述第一控制器具有异常判定部，所述异常判定部以所述规定时间以上的时间间隔从所述第二控制器获取累积的所述设备的状态信号，基于获取到的所述设备的状态信号来判定所述设备有无异常。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111809166A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010254572.8
申请日：2020-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种能够缩短制程时间的处理装置和处理方法。处理装置是进行基板的处理的处理装置，其具备多个终端设备、控制特定的终端设备的下位控制部以及控制部。控制部执行处理基板的制程，来确定制程的多个控制步骤中的满足特定的条件的控制步骤，将确定出的控制步骤发送到下位控制部。下位控制部基于从控制部接收到的控制步骤来控制对应的特定的终端设备。
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公开(公告)号：CN101675511B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880015014.3
申请日：2008-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67748
Abstract: 本发明提供处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质。利用CCD检测器(30)，对在处理单元(1)的入口附近的待机位置(W1)待机的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状进行摄像。根据摄取的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状，利用运算部(40)检测该圆弧形状的多个部位的位置数据，求得半导体晶片(W)的假想圆，计算其中心坐标，并计算待机位置(W1)的半导体晶片(W)的“位置偏移信息”。然后，基于该“位置偏移信息”通过控制器(50)控制搬送装置(12)，对处理单元(1)中的半导体晶片(W)的位置进行修正。
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公开(公告)号：CN103225074B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310027600.2
申请日：2013-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45544 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理状态的确认方法。掌握处理装置中的处理的状态，迅速检测处理的异常或将异常防患于未然。在作为MC（401）的下级的控制单元的I/O板（415）上设置最大值寄存器（441）和最小值寄存器（443），从与利用压力计（48A、58A）测量出的缓冲罐（48、58）中的压力相关的压力AI信号中，保存压力变化的最大值和最小值。通过将实际运行时所观测的缓冲罐（48、58）内的压力变化的最大值或最小值与预先测量出的正常运行时的缓冲罐（48、58）内的压力变化的最大值或最小值的数据进行比较，来进行处理的状态的判断。
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公开(公告)号：CN103225074A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310027600.2
申请日：2013-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45544 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理状态的确认方法。掌握处理装置中的处理的状态，迅速检测处理的异常或将异常防患于未然。在作为MC（401）的下级的控制单元的I/O板（415）上设置最大值寄存器（441）和最小值寄存器（443），从与利用压力计（48A、58A）测量出的缓冲罐（48、58）中的压力相关的压力AI信号中，保存压力变化的最大值和最小值。通过将实际运行时所观测的缓冲罐（48、58）内的压力变化的最大值或最小值与预先测量出的正常运行时的缓冲罐（48、58）内的压力变化的最大值或最小值的数据进行比较，来进行处理的状态的判断。
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公开(公告)号：CN101675511A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880015014.3
申请日：2008-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67748
Abstract: 本发明提供处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质。利用CCD检测器(30)，对在处理单元(1)的入口附近的待机位置(W1)待机的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状进行摄像。根据摄取的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状，利用运算部(40)检测该圆弧形状的多个部位的位置数据，求得半导体晶片(W)的假想圆，计算其中心坐标，并计算待机位置(W1)的半导体晶片(W)的“位置偏移信息”。然后，基于该“位置偏移信息”通过控制器(50)控制搬送装置(12)，对处理单元(1)中的半导体晶片(W)的位置进行修正。
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