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公开(公告)号：CN101359590A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810168614.5
申请日：2008-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和方法及存储介质，防止来自处理室的气体泄漏且不密闭处理室，并抑制对基板背面侧气体的迂回。通过由盖体覆盖容器本体上部侧开口形成处理室，从处理室中央上部对载置台上的晶片W供给处理气体，另外，从晶片W外侧对处理室内部通过处理气体排气路径排气。此外，从吹扫气体供给路径对在容器本体的周边部和盖体的周边部之间形成的缓冲室供给吹扫气体。处理气体的供给流量被设定得小于处理气体排气路径中的排气流量，利用由其流量差产生的处理室内的负压，缓冲室内的吹扫气体通过容器本体和盖体之间的间隙组成的吹扫气体供给孔被引入到处理室。
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公开(公告)号：CN103000563B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210337874.7
申请日：2012-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/67742 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统及接合方法。用于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。用于将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来的接合装置（30）包括：处理容器（100），其能够使内部密闭；接合部（113），其以使粘接剂介于被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）之间的方式对被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）进行按压而将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来；交接臂（120），其作为重合基板温度调节部，用于对利用接合部（113）接合而成的重合晶圆（T）进行温度调节，接合部（113）及交接臂（120）配置在处理容器（100）内。
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公开(公告)号：CN103000563A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210337874.7
申请日：2012-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/67742 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供接合装置、接合系统及接合方法。用于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。用于将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来的接合装置（30）包括：处理容器（100），其能够使内部密闭；接合部（113），其以使粘接剂介于被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）之间的方式对被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）进行按压而将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来；交接臂（120），其作为重合基板温度调节部，用于对利用接合部（113）接合而成的重合晶圆（T）进行温度调节，接合部（113）及交接臂（120）配置在处理容器（100）内。
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公开(公告)号：CN101359590B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810168614.5
申请日：2008-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和方法及存储介质，防止来自处理室的气体泄漏且不密闭处理室，并抑制对基板背面侧气体的迂回。通过由盖体覆盖容器本体上部侧开口形成处理室，从处理室中央上部对载置台上的晶片W供给处理气体，另外，从晶片W外侧对处理室内部通过处理气体排气路径排气。此外，从吹扫气体供给路径对在容器本体的周边部和盖体的周边部之间形成的缓冲室供给吹扫气体。处理气体的供给流量被设定得小于处理气体排气路径中的排气流量，利用由其流量差产生的处理室内的负压，缓冲室内的吹扫气体通过容器本体和盖体之间的间隙组成的吹扫气体供给孔被引入到处理室。
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