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公开(公告)号：CN113032950B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202011381443.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及形状特性值推算装置、形状特性值推算方法和存储介质。形状特性值推算装置包括：获取处理后图像的处理后图像获取部，该处理后图像包括形成有对象膜的基片的表面的图像信息；对处理后图像应用用于推算对象膜的形状特性值的推算模型推算形状特性值的推算部，该推算模型涉及处理后图像中的基片表面的颜色的信息与对象膜的形状特性值之间的相关性；生成基底影响模型的基底影响模型生成部，该基底影响模型涉及对象膜的形状特性值的推算结果和不使用推算模型获得的形状特性值之差分、与基底基片表面的颜色的信息之间相关性；以及基于基底影响模型校正推算结果的推算结果校正部。本发明能够更高精度地推算形成于对象基片的膜的形状的特性值。
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公开(公告)号：CN116868320A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280011836.4
申请日：2022-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 膜厚分析方法包括：关于对象膜获取沿着径向的互不相同的多个测定点处的膜厚值，所述对象膜是通过基于规定的液处理条件一边使作为分析的对象的对象基板旋转一边供给处理液来形成于对象基板上的膜；以及通过使多个测定点处的膜厚值近似于一个泽尔尼克多项式，来建立与对象膜的膜厚分布有关的近似式。在建立近似式时，通过确定出泽尔尼克多项式中包括的多个系数中的、与对象基板的整体膜厚有关的系数以及与同心圆状的弯曲成分有关的一个以上的系数，来建立近似式。
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公开(公告)号：CN113296367A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110177111.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供信息处理装置、信息处理方法以及计算机可读记录介质，能够在基板上高精度地形成膜等构造物。信息处理装置的一例具备：预测部，其构成为基于膜厚模型和事前数据来计算基板处理装置对基板进行处理时的预测膜厚，所述膜厚模型表示基板处理装置的状态与通过基板处理装置形成于基板的表面的涂布膜的膜厚的关系，所述事前数据表示通过基板处理装置对基板进行处理前的基板处理装置的状态；以及输出部，在通过基板处理装置对基板进行处理之前，所述输出部基于预测膜厚来输出与基板的处理有关的指示信息。
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公开(公告)号：CN117747483A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311176266.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , H01L21/02 , G06F30/20
Abstract: 本公开提供一种蚀刻控制系统和蚀刻控制方法，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。蚀刻控制系统具有预测装置和蚀刻控制装置。预测装置具有计算部，所述计算部使用表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型来计算与所指定的蚀刻量的分布对应的工艺参数，所述工艺参数是用于控制用于对基板进行蚀刻的多个喷嘴的动作的参数。蚀刻控制装置具有：更新部，其基于工艺参数来更新作为包含多个喷嘴的各个喷嘴的喷出时间、喷出位置及移动速度的信息的工艺制程；以及动作控制部，其使用工艺参数来控制多个喷嘴的动作。
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公开(公告)号：CN110018616B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201811519531.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的技术问题为，在图案曝光后进行的使用LED的曝光处理装置中，避免由因LED的温度变化而发光状态改变所导致的处理中产生故障的情况。本发明的解决方案为，将从向壳体(10)内的送入晶片(W)时起至曝光后的晶片(W)的送出准备结束的时刻为止作为一个循环。将一个循环结束后下一循环开始为止产生的时间段设为待机时间段。当设空闲发光时、曝光时的照度分别为Id、Is，设空闲发光、曝光的时间分别为Td、Ts时，以Id＝(Tp/Td)·Iw－(Ts/Td)·Is的方式来决定Id，由此基片间的一个循环内的平均照度成为一定的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116125751A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211361819.1
申请日：2022-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明提供一种控制参数设定方法、基片处理装置和存储介质，其能够减少在相互不同的模块中对基片形成的膜厚的差异。控制参数设定方法包括：获取第一参数组和第二参数组的步骤，第一参数组是包含用于控制第一膜形成模块中的膜形成处理的多个控制参数的控制参数组，第二参数组是用于控制第二膜形成模块中的膜形成处理的控制参数组；对于基于第一参数组进行了利用第一膜形成模块的膜形成后的基片和基于第二参数组进行了利用第二膜形成模块的膜形成后的基片，获取处理膜的膜厚值的步骤；和更新第一参数组和第二参数组，以使得用第一膜形成模块获取的基片的膜厚值与用第二膜形成模块获取的基片的膜厚值的差变小的步骤。
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公开(公告)号：CN110018616A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811519531.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的技术问题为，在图案曝光后进行的使用LED的曝光处理装置中，避免由因LED的温度变化而发光状态改变所导致的处理中产生故障的情况。本发明的解决方案为，将从向壳体(10)内的送入晶片(W)时起至曝光后的晶片(W)的送出准备结束的时刻为止作为一个循环。将一个循环结束后下一循环开始为止产生的时间段设为待机时间段。当设空闲发光时、曝光时的照度分别为Id、Is，设空闲发光、曝光的时间分别为Td、Ts时，以Id＝(Tp/Td)·Iw－(Ts/Td)·Is的方式来决定Id，由此基片间的一个循环内的平均照度成为一定的。
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公开(公告)号：CN101359590B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810168614.5
申请日：2008-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和方法及存储介质，防止来自处理室的气体泄漏且不密闭处理室，并抑制对基板背面侧气体的迂回。通过由盖体覆盖容器本体上部侧开口形成处理室，从处理室中央上部对载置台上的晶片W供给处理气体，另外，从晶片W外侧对处理室内部通过处理气体排气路径排气。此外，从吹扫气体供给路径对在容器本体的周边部和盖体的周边部之间形成的缓冲室供给吹扫气体。处理气体的供给流量被设定得小于处理气体排气路径中的排气流量，利用由其流量差产生的处理室内的负压，缓冲室内的吹扫气体通过容器本体和盖体之间的间隙组成的吹扫气体供给孔被引入到处理室。
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公开(公告)号：CN112050743B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202010472660.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片检查方法、基片检查系统和控制装置。基片检查方法包括：基于模型形成用基片的膜的特征量的测量结果，和拍摄模型形成用基片而生成的模型形成用拍摄图像，来构建表示基片的拍摄图像中的像素值与该基片的膜的特征量的关系的相关模型的步骤；拍摄特征量获取对象基片生成拍摄图像，基于该拍摄图像和相关模型，来计算特征量获取对象基片的膜的推算特征量的步骤；计算对多个特征量获取对象基片计算出的推算特征量的统计值的步骤；以及根据膜的特征量的测量结果和推算特征量的统计值，计算推算特征量的补偿量的步骤，其中膜是对补偿计算用基片进行与推算特征量被计算出的膜相同的处理的膜。本发明能够简单且准确地获取基片的膜的特征量。
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公开(公告)号：CN119063637A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410638969.5
申请日：2024-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够高精度地推算形成于基片的对象膜的形状的特性值的形状特性值推算装置、形状特性值推算方法和存储介质。形状特性值推算装置(CD推算装置)具有处理后图像获取部(102)、推算部(104)、处理前基片影响模型创建部(107)和推算结果修正部(108)。处理前基片影响模型创建部(107)将多个处理后图像分为第1集合和第2集合；基于第1集合创建作为处理前基片影响模型的候选的第1候选，并且基于第2集合创建作为处理前基片影响模型的候选的第2候选；将推算结果修正部(108)基于第1候选对推算结果进行修正后的结果与推算结果修正部(108)基于第2候选对推算结果进行修正后的结果进行比较，来决定处理前基片影响模型。
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