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公开(公告)号：CN116285991A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310252155.3
申请日：2023-03-15
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海鼎晖科技股份有限公司
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种紫外激发的Eu3+掺杂氟基磷灰石结构红色荧光材料，所述Eu3+掺杂氟基磷灰石结构荧光材料的化学通式为Ca2(Y1‑xEux)8(BO4)2(SiO4)4F2(0＜x≤15at％)，发光中心为稀土离子Eu3+。还公开了其制备方法，首先按照化学计量比将原料进行混合、研磨均匀后得到初始料，随后装入刚玉坩埚，在马弗炉中升温进行预烧结，保温；将预烧结的样品取出，置于研钵中研磨均匀后，再放入马弗炉中进行高温固相烧结，最后得到Eu3+掺杂的氟基磷灰石结构红色荧光材料。氟离子掺杂对磷灰石结构荧光材料发光性能有所改善，且该荧光材料在紫外LED芯片393nm激发下发出红光，发射中心位于614nm，具有高显色指数和量子效率，有效适用于紫外激发暖白光LED照明和显示等领域，是一类有潜质的新型发光材料。
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公开(公告)号：CN113501993B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110793571.5
申请日：2021-07-14
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C08K13/02 , C08J7/06 , C08L67/02 , C08L23/06 , C09D1/00 , C09D5/22 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00
Abstract: 本发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，制备方法包括：首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液与甲苯混合，得到钙钛矿量子点溶液；最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆，干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比，本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术，成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料，该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能，还具有操作简单、成本低等优点，且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大，使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114316958A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111680710.X
申请日：2021-12-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种Cs2AgxLi1‑xInCl6:Bi双钙钛矿量子点及其制备方法，该双钙钛矿量子点采用以下制备方法制备得到：(1)取铯源、银源、锂源、铟源和铋源分散于二甲基亚砜中，经反应得到前驱体溶液；(2)将所得前驱体溶液喷涂在玻璃片上，经加热得到目的产物。本发明通过掺杂Li+离子和Bi3+离子提高量子点产物的量子效率，同时补偿其晶体缺陷，利用杂化后晶格结构扭曲以及能带发生改变来控制电子跃迁，从而使量子点发光强度增大，稳定性增强。与现有技术相比，本发明双钙钛矿量子点量子效率较高，制备方法较简单，无需高温、惰性气体保护、真空等条件，在制备过程中可以通过调节x的数值比例来改变禁带宽度从而调节波长，且本发明制备方法对量子点掺杂适用性广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114032092A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111533222.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的近红外波段发光材料及其制备方法。本发明的Cr3+掺杂的近红外波段发光材料的化学通式为CsA3+1‑yB4+2O6:yCr3+，其中，A3+选自Al3+、Ga3+和In3+中的至少一种，B4+选自Si4+、Ge4+、Sn4+、Ti4+和Zr4+中的至少一种；0.01at％
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公开(公告)号：CN112877069A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
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公开(公告)号：CN112322292A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011389143.8
申请日：2020-12-02
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海鼎晖科技股份有限公司
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种Eu3+掺杂的荧光材料及其制备方法。所述Eu3+掺杂的荧光材料的化学通式为Ca3(Tb1‑xEux)7(BO4)(SiO4)5O，其发光中心为稀土离子Eu3+。制备方法：将原料进行混合、研磨均匀，得到反应前驱体；将研磨均匀的初始料装入氧化铝坩埚，在还原气氛中升温至进行预烧结，保温；将预烧结的样品取出，置于研钵中研磨混匀后，于还原气氛中煅烧，最后得到Eu3+掺杂的荧光材料。该荧光材料的原料及最终产物均不含氟等有害物质，且制备方法简单，生产成本低。该荧光材料在蓝光LED芯片激发时发出红光，具有很好的色饱和度和显色指数，适用于全光谱LED器件、植物照明和显示等领域。
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公开(公告)号：CN112080798A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011030636.2
申请日：2020-09-27
Applicant: 上海应用技术大学 , 江苏科创车联网产业研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种近零热猝灭氟化物荧光单晶材料及其制备方法。所述单晶材料的化学式为KY3‑xCexF10，其中，0.01≤x≤0.03。制备方法为：KF、YF3、CeF3原料混合后放入Pt坩埚烧结，制得多晶粉料；将粉料采用坩埚下降法进行晶体生长，经接种、放肩、等径生长，生长出无裂纹、无明显生长条纹的透明晶体；将透明晶体退火，自然冷却至室温。本发明的发光材料与在300nm的紫外光激发下，发射中心波长为360nm的宽带蓝紫光，其发光效率较高，在25℃～300℃温度范围内荧光热猝灭率几乎为零，制备工艺简单，其作为紫外活性介质可适用于制备成大功率或高温下使用的蓝紫光LED器件。
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公开(公告)号：CN110747510A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911196409.4
申请日：2019-11-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种铬掺杂铌酸铝锶可调谐激光晶体及其制备方法，晶体材料的化学式为:Cr3+:Sr2AlNbO6。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体属于立方晶系，具有 空间群结构。Cr3+:Sr2AlNbO6的熔点为1790℃，属于一致熔融化合物，因此都可以通过提拉法生长出大尺寸和光学均一性较高的晶体。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体生长参数为：籽晶杆的旋转速率为10～55rpm，提拉速率为1～3.5mm/h，晶体生长结束后，然后以10℃/h～65℃/h的速率降温至室温，生长出Cr3+:Sr2AlNbO6晶体。其中Cr3+掺杂浓度都为0.1at.％-10.0at.％。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体可调谐范围为730～850nm之间，可以作为可调谐激光晶体。
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