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公开(公告)号:CN115127071A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202210866213.7
申请日:2022-07-22
Applicant: 上海应用技术大学 , 复旦大学附属眼耳鼻喉科医院
Abstract: 本发明涉及一种智能节律调节灯具,包括控制模块和灯具模块,灯具模块包括底座和LED灯珠,底座的中央设有安装槽,安装槽的一组相对侧设置有第一电接触点,控制模块包括底板,以及安装在底板上驱动电源、物联网芯片和继电器,底板的两侧设有第二电接触点,控制模块嵌入安装槽内使第一电接触点和第二电接触点电性连接;物联网芯片具有WIFI单元,物联网芯片通过WIFI通讯接受调节指令对LED灯珠的色温进行调节,调节指令根据设定的时间进行发送。与现有技术相比,本发明通过设置物联网芯片,便可联网获取实时时间和季节,有效避免因突发情况导致定时器故障、断电而造成地时间不准确,保证了时间的准确性。
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公开(公告)号:CN110886017A
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201911204679.5
申请日:2019-11-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)将DMF、油酸及油胺混合均匀,得到混合溶液;2)将CsX与PbY2分别加入至步骤1)中的混合溶液,并依次经过搅拌、静置、离心后,得到前驱体溶液;3)将薄膜衬底依次经清洗、干燥、加热,之后将前驱体溶液趁热喷涂于薄膜衬底上,即得到全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜;其中,X及Y分别为Cl,Br,I中的一种或一种以上。与现有技术相比,本方法可实现快速一次性成膜,具有操作简单、成本低廉、所制备的纳米晶薄膜分布均匀、结晶质量高、发光性能好的优点,表现出广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN110886017B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201911204679.5
申请日:2019-11-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)将DMF、油酸及油胺混合均匀,得到混合溶液;2)将CsX与PbY2分别加入至步骤1)中的混合溶液,并依次经过搅拌、静置、离心后,得到前驱体溶液;3)将薄膜衬底依次经清洗、干燥、加热,之后将前驱体溶液趁热喷涂于薄膜衬底上,即得到全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜;其中,X及Y分别为Cl,Br,I中的一种或一种以上。与现有技术相比,本方法可实现快速一次性成膜,具有操作简单、成本低廉、所制备的纳米晶薄膜分布均匀、结晶质量高、发光性能好的优点,表现出广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN112038449A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN202010877644.4
申请日:2020-08-27
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种采用溶液喷涂法制得的CsPbX3薄膜及其制备和应用,所述方法具体包括以下步骤:(a)取CsX和PbX2加入到有机溶剂中进行混合,得到CsPbX3前驱体溶液,其中,X=Cl或Br或I;(b)将步骤(a)得到的CsPbX3前驱体溶液喷涂在导电基底上,后退火,得到所述的CsPbX3薄膜。与现有技术相比,本发明可实现均匀薄膜的简易制备,有利于该材料在钙钛矿太阳能电池和光电探测器件中的应用。
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公开(公告)号:CN111410956A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010250490.6
申请日:2020-04-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种CsPb1-xZnxBr3钙钛矿量子点的制备方法,包括以下步骤:首先将铯源、铅源和锌源混合于三口烧瓶中,继而注入油酸(OA)、油胺(OLA)和1-十八烯(ODE),在氮气气氛保护下,加热并磁力搅拌使其充分反应,反应结束后施以冰水浴处理,离心洗涤即获得CsPb1-xZnxBr3钙钛矿量子点,最后将量子点分散于正己烷中储存。本发明制备的CsPb1-xZnxBr3钙钛矿量子点具有结晶质量高、PL发光强度大、PL量子产率高达57%的特点,该钙钛矿量子点可用于照明、显示、光伏等领域。
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公开(公告)号:CN114373864A
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202111633103.8
申请日:2021-12-29
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:首先将一定量的PbI2粉末和PEAI粉末按比例依次加入到溶剂中,室温下在烧杯中搅拌,使其充分溶解,制得(PEA)2PbI4钙钛矿前驱体溶液;然后将制备好的(PEA)2PbI4前驱体溶液滴加在清洗干净的薄膜基底上,使用旋涂法将钙钛矿前驱体溶液均匀涂敷在基底上,自然干燥后即得到(PEA)2PbI4钙钛矿薄膜。本发明制备的(PEA)2PbI4钙钛矿薄膜具有结晶质量高、晶粒尺寸大、缺陷密度低的特点,该钙钛矿薄膜可用于光电显示、太阳能电池、光电探测器等领域。
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公开(公告)号:CN113501993A
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN202110793571.5
申请日:2021-07-14
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C08J7/06 , C08L67/02 , C08L23/06 , C09D1/00 , C09D5/22 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00
Abstract: 本发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法,制备方法包括:首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液,得到前驱体溶液;之后将前驱体溶液与甲苯混合,得到钙钛矿量子点溶液;最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆,干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比,本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术,成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X=Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料,该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能,还具有操作简单、成本低等优点,且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大,使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN113501993B
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202110793571.5
申请日:2021-07-14
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C08K13/02 , C08J7/06 , C08L67/02 , C08L23/06 , C09D1/00 , C09D5/22 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00
Abstract: 本发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法,制备方法包括:首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液,得到前驱体溶液;之后将前驱体溶液与甲苯混合,得到钙钛矿量子点溶液;最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆,干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比,本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术,成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X=Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料,该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能,还具有操作简单、成本低等优点,且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大,使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN112080276B
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202011057006.4
申请日:2020-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)将DMF、油酸和油胺混合均匀,得到混合溶液;(2)在混合溶液中依次加入CsX和PbY2,并搅拌均匀,静置后,取上清液得到前驱体溶液;(3)将3‑氨丙基三乙氧基硅烷和DMF混合均匀后得到APTES溶液;(4)将前驱体溶液和APTES溶液混合均匀,并加入甲苯,得到铯铅卤族钙钛矿量子点溶液;(5)把薄膜衬底依次经清洗、干燥后分别放入铯铅卤族钙钛矿量子点溶液中,并在离心机中离心,倒掉溶液,取出衬底,干燥后即得到高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜。与现有技术相比,本发明具有制作工艺简单,稳定性好,且容易大面积制备等优点。
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公开(公告)号:CN114316958A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111680710.X
申请日:2021-12-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种Cs2AgxLi1‑xInCl6:Bi双钙钛矿量子点及其制备方法,该双钙钛矿量子点采用以下制备方法制备得到:(1)取铯源、银源、锂源、铟源和铋源分散于二甲基亚砜中,经反应得到前驱体溶液;(2)将所得前驱体溶液喷涂在玻璃片上,经加热得到目的产物。本发明通过掺杂Li+离子和Bi3+离子提高量子点产物的量子效率,同时补偿其晶体缺陷,利用杂化后晶格结构扭曲以及能带发生改变来控制电子跃迁,从而使量子点发光强度增大,稳定性增强。与现有技术相比,本发明双钙钛矿量子点量子效率较高,制备方法较简单,无需高温、惰性气体保护、真空等条件,在制备过程中可以通过调节x的数值比例来改变禁带宽度从而调节波长,且本发明制备方法对量子点掺杂适用性广。
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