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公开(公告)号：CN113501993B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110793571.5
申请日：2021-07-14
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C08K13/02 , C08J7/06 , C08L67/02 , C08L23/06 , C09D1/00 , C09D5/22 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00
Abstract: 本发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，制备方法包括：首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液与甲苯混合，得到钙钛矿量子点溶液；最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆，干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比，本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术，成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料，该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能，还具有操作简单、成本低等优点，且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大，使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112080276B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202011057006.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将DMF、油酸和油胺混合均匀，得到混合溶液；(2)在混合溶液中依次加入CsX和PbY2，并搅拌均匀，静置后，取上清液得到前驱体溶液；(3)将3‑氨丙基三乙氧基硅烷和DMF混合均匀后得到APTES溶液；(4)将前驱体溶液和APTES溶液混合均匀，并加入甲苯，得到铯铅卤族钙钛矿量子点溶液；(5)把薄膜衬底依次经清洗、干燥后分别放入铯铅卤族钙钛矿量子点溶液中，并在离心机中离心，倒掉溶液，取出衬底，干燥后即得到高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜。与现有技术相比，本发明具有制作工艺简单，稳定性好，且容易大面积制备等优点。
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公开(公告)号：CN112080276A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011057006.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将DMF、油酸和油胺混合均匀，得到混合溶液；(2)在混合溶液中依次加入CsX和PbY2，并搅拌均匀，静置后，取上清液得到前驱体溶液；(3)将3‑氨丙基三乙氧基硅烷和DMF混合均匀后得到APTES溶液；(4)将前驱体溶液和APTES溶液混合均匀，并加入甲苯，得到铯铅卤族钙钛矿量子点溶液；(5)把薄膜衬底依次经清洗、干燥后分别放入铯铅卤族钙钛矿量子点溶液中，并在离心机中离心，倒掉溶液，取出衬底，干燥后即得到高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜。与现有技术相比，本发明具有制作工艺简单，稳定性好，且容易大面积制备等优点。
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公开(公告)号：CN118022785A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410074810.5
申请日：2024-01-18
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性的CsPbBr3/ZnS钙钛矿量子点异质结材料的制备方法及其在光催化领域的应用。本发明通过热注入法、高温熔融法制备出CsPbBr3/ZnS异质结材料，其形貌均一，且合成方法简单，成本低廉。由于ZnS的存在钝化了钙钛矿的表面缺陷，促进了钙钛矿的长期稳定性，提高了电子‑空穴对的转移性能和分离效率，实现了光催化剂的高效催化活性和稳定性。这项工作为开发用于光催化应用的金属卤化物钙钛矿基异质结提供了新的启发。
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公开(公告)号：CN113501993A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110793571.5
申请日：2021-07-14
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C08J7/06 , C08L67/02 , C08L23/06 , C09D1/00 , C09D5/22 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00
Abstract: 本发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，制备方法包括：首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液与甲苯混合，得到钙钛矿量子点溶液；最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆，干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比，本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术，成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料，该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能，还具有操作简单、成本低等优点，且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大，使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116835633A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310682383.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G21/00 , H01L33/50 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种一步法制备嵌有CsPbX3的Cs4PbX6钙钛矿纳米晶及其应用。所述钙钛矿纳米晶为核壳结构，CsPbX3为晶核，Cs4PbX6为包覆于晶核外部的钙钛矿包壳，形成具有核壳结构的CsPbX3/Cs4PbX6复合钙钛矿纳米晶。这种核壳结构不仅提高了材料的稳定性，而且也增强了材料的本征发射性能。其制备方法为一步慢冷法，具体包括以下步骤：将PbX2和CsX加入有机溶剂中，加热至完全溶解；将其温度以2℃/h的速度降低至室温，在室温下待晶体自然生长一周，瓶底长出的荧光纳米晶体即为所述的钙钛矿纳米晶。本发明的制备方法简单，所得产物稳定性高，发光性能极佳，发射宽度狭窄，最大发射波长在可见光范围内可调。该纳米晶可应用于绿光LED器件。
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